一：波紋管外壓技術(shù)百科問題1：雙壁波紋管的性能特點(diǎn)有哪些?波紋管外壓答：雙壁波紋管的性能特點(diǎn)有：1、抗外壓能力強(qiáng)外壁呈環(huán)形波紋狀結(jié)構(gòu)，大大增強(qiáng)了管材的環(huán)剛度，從而增強(qiáng)了管道對土壤負(fù)荷的抵抗力，在這個性能方面，HDPE雙壁波紋管與其他管材相比
一：
晶振電容技術(shù)百科
問題1：晶振兩邊的電容要怎樣選
答：（2）：在許可范圍內(nèi)，C1,C2值越低，越接近，越好。C值偏大雖有利于振蕩器的穩(wěn)定，但將會增加起振時間。（3）：應(yīng)使C2值大于C1值，這樣可使上電時，加快晶振起振。晶振的外接電容，以及更詳細(xì)資料請參考揚(yáng)興科技官方。
問題2：在晶振下的負(fù)載電容,跟晶振有什么關(guān)系?
答：晶振的匹配電容，我們也稱負(fù)載電容，負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部有效電容之和，晶振所需要外接的電容，也是使晶振兩端的等效電容（電路之間的分布電容）等于負(fù)載電容，負(fù)載就是晶振起振的電容，這時候電容的作用就。
問題3：晶振要配多大電容?
答：應(yīng)滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計,元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以根據(jù)以上公式就可以。
問題4：單片機(jī)晶振的電容是什么類型的電容
答：單片機(jī)晶振的電容是瓷片電容。1、瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用陶瓷材料作介質(zhì)，在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜，再經(jīng)高溫?zé)Y(jié)后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為回路、旁路電容器及墊整電容器。2。
問題5：如何選擇合適的單片機(jī)晶振電容
答：晶振電容選擇的幾大標(biāo)準(zhǔn)（1）：在容許范圍內(nèi)，C1,C2值越低越好。（2）C值偏大雖有利于振蕩器的安穩(wěn)，但將會增加起振時間。（3）：應(yīng)使C2值大于C1值，這么可使上電時，加快晶振起振。晶振的起振原因分析在石英晶體。
問題6：晶振里面是不是就一個電容?
晶振電容答：晶振可是石英晶體切割出來的，利用加電后其自身產(chǎn)生的振動（相當(dāng)微?。﹣懋a(chǎn)生震蕩波形，一般來講必須配合電容來使用不可以簡單看作電容阿。
問題7：電容怎么做到和晶振起振的原來是什么
晶振電容答：使振蕩器容易起振。晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那么買來的晶體準(zhǔn)確度就會差，關(guān)于負(fù)載電容的計算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。（資料出自YXC揚(yáng)興晶振官網(wǎng)）。
問題8：110592的晶振配多大電容
答：晶振在電路中使用時,應(yīng)滿足cl=c+cscl為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值,c為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到),cs為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計,元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5pf所以。
問題9：無源晶振電容如何匹配
答：無源晶振的負(fù)載電容，其實(shí)也是匹配電容，所以，要根據(jù)晶振上給出的電容來匹配就可以了。一個12m晶振的負(fù)載電容為125pf，那么在匹配125pf的電容是，晶振輸出的才是12m。如果改成9pf或者20pf，那么無源晶振輸出的頻率會與。
問題10：請問單片機(jī)晶振電路中兩個電容的作用是什么?
晶振電容答：叫負(fù)載電容。一般單片機(jī)的晶振工作于并聯(lián)諧振狀態(tài)，也可以理解為諧振電容的一部分。它是根據(jù)晶振廠家提供的晶振要求負(fù)載電容選值的，換句話說，晶振的頻率就是在它提供的負(fù)載電容下測得的，能最大限度的保證頻率值的誤差。也。
二：
晶振電容技術(shù)資料
問題1：晶振要配多大的電容比較合適?
晶振電容答：晶振在電路中使用時,應(yīng)滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計,元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以。
問題2：在晶振下的負(fù)載電容,跟晶振有什么關(guān)系?
答：晶振的匹配電容，我們也稱負(fù)載電容，負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部有效電容之和，晶振所需要外接的電容，也是使晶振兩端的等效電容（電路之間的分布電容）等于負(fù)載電容，負(fù)載就是晶振起振的電容，這時候電容的作用就。
問題3：晶振旁邊接的是什么電容,起什么作用
答：晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會對頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會反而越高。
問題4：如何確定晶振的負(fù)載電容
晶振電容答：【晶振中的負(fù)載電容的作用】晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會對頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小。
問題5：無源晶振電容如何匹配
答：查它的型號手冊，有“負(fù)載電容”的規(guī)范。通常有3種規(guī)格：1、高頻晶振，30pF；2、低頻晶振，100pF；3、串聯(lián)晶振，無窮大（即不用電容）。根據(jù)振蕩需要，可以把負(fù)載電容分解為幾個，例如用100pF串聯(lián)47pF代替30pF負(fù)載電容。
問題6：32768HZ晶振兩端需要加電容嗎
答：每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。(2)一般的晶振的負(fù)載電容為15p或125p，這與兩端相同，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩。
問題7：電容怎么做到和晶振起振的原來是什么
答：使振蕩器容易起振。晶振負(fù)載電容取值直接關(guān)系到調(diào)頻的準(zhǔn)確度。如果負(fù)載電容不夠準(zhǔn)確，那么買來的晶體準(zhǔn)確度就會差，關(guān)于負(fù)載電容的計算方法即從晶體兩端看進(jìn)去電容的總和。（資料出自YXC揚(yáng)興晶振官網(wǎng)）。
問題8：晶振旁的兩個小電容是什么作用
答：你好，晶振旁邊的小電容的作用很明顯，當(dāng)電路剛剛上電的時候，晶體是不會震蕩，由于小電容的存在，晶體會慢慢震動，很快就到達(dá)規(guī)定的頻率，信號就輸入到單片機(jī)。小電容是輔助起震的作用。我喜歡單片機(jī)，希望采納哦^^。
問題9：110592的晶振配多大電容
答：在單片機(jī)里，可配30P電容，不是為了穩(wěn)定頻率。可以微調(diào)頻率。
問題10：無源晶振外部兩端的對地電容,如何選擇
答：晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定，既然負(fù)載電容參與電路振蕩，肯定會對頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小，振蕩電路就會反而越高。
三 ：
晶振電容名企推薦
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.duba2008.cn/1768324318.html
喜歡就贊一下
