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晶振電容貼片,晶振 電容

時(shí)間:2026-02-10    作者:admin 點(diǎn)擊: ( 4 ) 次

一:

晶振電容貼片技術(shù)百科

問(wèn)題1:晶振必須接瓷片電容嗎?
答:必須要接電容的,否則無(wú)法構(gòu)成諧振回路,對(duì)于單片機(jī)系統(tǒng)而言10MHz晶振配合15-33p都可以正常使用。

問(wèn)題2:晶振的負(fù)載電容對(duì)晶振頻點(diǎn)的大小有什么影響
晶振電容貼片答:原有電路使用的是33pF的兩個(gè)電容,則并聯(lián)起來(lái)是165pF,我們的貼片電容只有27pF,33pF,39pF,所以我們選用了27pF和39pF并聯(lián),則電容為1595pF。電容焊好后,測(cè)量比原來(lái)大了200多赫茲,落在了設(shè)計(jì)范圍內(nèi)。結(jié)論:晶振。

問(wèn)題3:電容是放在晶振前面好還是后面好
答:在晶振應(yīng)用中,幾乎所有的線路設(shè)計(jì)都會(huì)有晶振外接電容,晶振兩個(gè)腳的同一線路上焊接電容,線路的設(shè)計(jì)和到晶振的匹配電容不等,石英晶振DIP插件系列一般的常規(guī)16pf~22pf,貼片晶振的相對(duì)應(yīng)負(fù)載電容比較低,一般是7pf~16pf(1。

問(wèn)題4:想自己焊?jìng)€(gè)電路,不知道晶振應(yīng)該怎么接進(jìn)去
答:二、貼片晶振的自動(dòng)焊接方法采用自動(dòng)焊接方法時(shí),需要注意以下幾點(diǎn):1、一般情況下烙鐵頭溫度控制在300℃左右,熱風(fēng)槍控制在200℃~400℃;其次,焊接時(shí)不允許直接加熱貼片晶振引腳的腳跟以上部位,以免損壞晶振內(nèi)部電容;2。

問(wèn)題5:四腳貼片晶振具體應(yīng)該怎么與芯片連接呢?在原理圖或pcb中具體每個(gè)腳應(yīng)
答:1,3腳與芯片連接就可以了。為了匹配負(fù)載,可以在1,3腳再分別連接匹配的負(fù)載電容到地就可以了。

問(wèn)題6:焊接晶振應(yīng)該注意什么
答:1,一般情況下烙鐵頭溫度控制在300℃左右,熱風(fēng)槍控制在200℃~400℃;2,焊接時(shí)不允許直接加熱貼片晶振引腳的腳跟以上部位,以免損壞晶振內(nèi)部電容;3,需要使用∮03mm~∮05mm的焊錫絲;烙鐵頭始終保持光滑,無(wú)鉤、無(wú)刺。

問(wèn)題7:51單片機(jī)晶振上接的電容大小該如何選擇
答:5-33pf都可以,一般用的是15P和30P,晶振大小影響不大,常用的4M和12M以及110592M和20M24M都用的30P,單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的整形電路。在規(guī)定的時(shí)間內(nèi),由于規(guī)定的工作和非工作參數(shù)全部組合而引起的晶體振蕩器頻率與給定標(biāo)稱。

問(wèn)題8:為什么晶振兩端要外接兩個(gè)電容呢
答:這兩個(gè)電容叫晶振的負(fù)載電容,分別接在晶振的兩個(gè)腳上和對(duì)地的電容,一般在幾十皮發(fā)。它會(huì)影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,也是使振蕩頻率更穩(wěn)定。實(shí)際上就是電容三點(diǎn)式電路的分壓電容,接地點(diǎn)就是分壓點(diǎn)。以接地點(diǎn)。

問(wèn)題9:一般的電路里晶振旁邊都接了兩個(gè)電容,是起什么作用的求解答
答:電路其實(shí)是個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩電路,輸出是正玄波晶體等效于電感,加兩個(gè)槽路分壓電容,輸入端的電容越小,正反饋量越大。負(fù)載電容每個(gè)晶振都會(huì)有的參數(shù),例如穩(wěn)定度是多少PPM,部分人會(huì)稱之為頻差,單位都是PPM,負(fù)載。

問(wèn)題10:電容,晶體,晶振,電感叫做什么,有什么用
答:您好,電容、晶體、晶振和電感都屬于電子元器件類,都是如今使用比較廣泛的電子零件。電容:電容器的簡(jiǎn)稱,是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一,廣泛應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、濾波、調(diào)諧回路、能量轉(zhuǎn)換、控制電路等方面。石英。

二:

晶振電容貼片技術(shù)資料

問(wèn)題1:貼片電容有什么品牌
晶振電容貼片答:日本村田公司作為世界五百?gòu)?qiáng)的公司是世界上少數(shù)幾家能夠生產(chǎn)飛機(jī),火箭,衛(wèi)星等高端電子元器件的廠商,其生產(chǎn)的電子元器件廣泛應(yīng)用于電子通訊的各個(gè)方面,生產(chǎn)的產(chǎn)品有,電容,電阻,電感,射頻頭,濾波器,晶振,傳感器等。

問(wèn)題2:晶振要配多大的電容比較合適?
晶振電容貼片答:晶振在電路中使用時(shí),應(yīng)滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書(shū)中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過(guò)串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以。

問(wèn)題3:請(qǐng)問(wèn)單片機(jī)晶振電路中兩個(gè)電容的作用是什么?
答:負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率,一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振:另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以,標(biāo)稱頻率相同的晶振。

問(wèn)題4:晶振怎么配電容
答:可以使用的~請(qǐng)放心~頻率由晶振決定~15P可以的~但是注意不能相差太大或太小·~差大或者小穩(wěn)定性不好了~祝成功。

問(wèn)題5:如何選擇合適的單片機(jī)晶振電容
晶振電容貼片答:當(dāng)然晶振的電容也是按照不同的晶振類型所制造的,這是理所當(dāng)然的。下面是晶振的電容選擇方法,一定要仔細(xì)看哦:晶振電容選擇的幾大標(biāo)準(zhǔn)(1):在容許范圍內(nèi),C1,C2值越低越好。(2)C值偏大雖有利于振蕩器的安穩(wěn),但將。

問(wèn)題6:晶振電容作用是什么?
答:CMOS放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí),相當(dāng)于18mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容,整個(gè)電源電流為22mA。陶瓷。

問(wèn)題7:晶振要配多大的電容比較合適?
答:晶振在電路中使用時(shí),應(yīng)滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書(shū)中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過(guò)串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以。

問(wèn)題8:晶振旁邊接的是什么電容,起什么作用
答:晶振負(fù)載電容值指的是晶振的交流電路中參與振蕩與晶振串聯(lián)或者并聯(lián)的負(fù)載電容值。晶振的電路頻率主要是有晶振自身決定,既然負(fù)載電容參與電路振蕩,肯定會(huì)對(duì)頻率多少起到微調(diào)作用。負(fù)載電容值越小,振蕩電路就會(huì)反而越高。

問(wèn)題9:51單片機(jī)晶振上接的電容如何選擇
答:=Cg也是可以的,Cd、Cg稱作匹配電容或外接電容,其作用就是調(diào)節(jié)負(fù)載電容使其與晶振的要求相一致,需要注意的是Cd、Cg串聯(lián)后的總電容值(Cd*Cg/(Cd+Cg))才是有效的負(fù)載電容部分,假設(shè)Cd==Cg==30pF,那么Cd、Cg對(duì)。

問(wèn)題10:晶振要配多大電容?
晶振電容貼片答:應(yīng)滿足CL=C+CSCL為規(guī)格書(shū)中晶振的負(fù)載電容值,C為電路中外接的電容值(一般由兩顆電容通過(guò)串并聯(lián)關(guān)系得到),CS為電路的分布電容,這和電路的設(shè)計(jì),元器件分布等因素有關(guān),值不確定,一般為3到5PF所以根據(jù)以上公式就可以。

三 :

晶振電容貼片名企推薦

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