【摘要】本實用新型屬于一種可輸出恒定高壓的加壓裝 置，在其耐壓的密閉缸體中設(shè)置有兩端面面積不等的 增壓活塞將缸體內(nèi)腔分隔成互不連通的空間，其間分 別充滿傳遞壓力的流體介質(zhì)。活塞大端面?zhèn)鹊母左w 空間中設(shè)有加壓端露于缸體外的加壓體，其加壓端處
【摘要】 一種液相外延等電子摻雜工藝，其特征是在電子 器件制造過程中先用生長源在一定溫度下，在襯底上 生長一層等電子摻雜層，然后再進行器件制造的外延 生長工藝。該工藝操作方便；可使報廢的高位錯密度 的砷化鎵襯底得到重新應(yīng)用；使制造的電子器件性能 穩(wěn)定，成品率高，成本低。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】河北工學院 【申請人類型】學校 【申請人地址】300130天津市紅橋區(qū)丁字沽一號路 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】天津市 【申請人區(qū)縣】紅橋區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90109987.2 【申請日】1990-12-18 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1052005A 【公開公告日】1991-06-05 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1017486B 【授權(quán)公告日】1992-07-15 【授權(quán)公告年份】1992.0 【IPC分類號】H01L21/208; C30B19/02; H01L21/22; C30B19/00; H01L21/02 【發(fā)明人】劉文杰; 陳諾夫 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種液相外延等電子摻雜工藝，是將生長源加熱熔融，然后慢慢降溫，在襯底上生長一層外延層，其特征在于：在電子器件制造過程中先在襯底上進行等電子摻雜工藝，其工藝步驟是： ①將砷化鎵襯底和生長源送入有保護氣氛存在下的爐中升溫熔融； ②在800-900℃時熔煉生長源2-4小時； ③然后以0.2-1.5℃/分的速率降溫，當溫度降至800-700℃時，開始生長等電子摻雜層，生長時間為10-40分鐘； ④其后繼續(xù)生長制造器件所需要的外延層。 關(guān)注公眾號馬克數(shù)據(jù)網(wǎng) 【當前權(quán)利人】河北工學院 【當前專利權(quán)人地址】天津市紅橋區(qū)丁字沽一號路 【引證次數(shù)】3.0 【他引次數(shù)】3.0 【家族引證次數(shù)】3.0
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.duba2008.cn/1774188110.html
喜歡就贊一下
