【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】國(guó)營(yíng)涪江機(jī)器廠【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】621000四川省綿陽(yáng)市躍進(jìn)路16號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】綿陽(yáng)市【申請(qǐng)人區(qū)縣】涪城區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N90303863.3【申請(qǐng)日】1990-12-08【申請(qǐng)
【摘要】 一種硅半導(dǎo)體器件用硅片的缺陷控制工藝。該 工藝是將達(dá)到器件目標(biāo)電阻率的硅單晶先用快中子 流照射，然后進(jìn)行硅片加工，合格的硅片直接送入硅 器件制造的第一道熱工序，在高純氣氛的保護(hù)下，隨 爐升溫到該工序要求的溫度進(jìn)行第一道熱工序，該工 序結(jié)束后，隨即完成了對(duì)硅片缺陷的控制。該工藝可 大大節(jié)省工時(shí)和能耗，提高成品率，改善器件電參數(shù)， 對(duì)N型、P型和重?fù)焦瓒歼m用。 搜索馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】河北工學(xué)院 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】300130天津市紅橋區(qū)丁字沽一號(hào)路 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】天津市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】紅橋區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N90107176.5 【申請(qǐng)日】1990-08-20 【申請(qǐng)年份】1990 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1050792A 【公開(kāi)公告日】1991-04-17 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN1017487B 【授權(quán)公告日】1992-07-15 【授權(quán)公告年份】1992.0 【IPC分類號(hào)】H01L21/322; H01L21/324; C30B33/02; C30B33/04; C30B33/00; H01L21/02 【發(fā)明人】徐岳生; 張維連; 任丙彥; 鞠玉林; 李養(yǎng)賢; 梁金生 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種硅半導(dǎo)體器件用硅片的缺陷控制工藝，工序是將達(dá)到器件目標(biāo)電阻率的硅單晶進(jìn)行硅片加工，再將合格的硅片清洗處理，然后進(jìn)行熱退火，其特征在于：將達(dá)到器件目標(biāo)電阻率的硅單晶先用通量為5×1014-1×1818n/cm2的快中子流照射2-15小時(shí)，然后進(jìn)行硅片加工和清洗處理，合格的硅片直接送入硅器件制造的第一道熱工序，在高純氣氛的保護(hù)下，隨爐升溫到該工序要求的溫度進(jìn)行第一道熱工序，第一道熱工序結(jié)束后，出爐自然冷卻，隨即完成了對(duì)硅半導(dǎo)體器件用硅片的缺陷控制。 【當(dāng)前權(quán)利人】河北工學(xué)院 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】天津市紅橋區(qū)丁字沽一號(hào)路 【被引證次數(shù)】8.0 【被他引次數(shù)】8.0 【家族被引證次數(shù)】8.0
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.duba2008.cn/1774188120.html
喜歡就贊一下
