【摘要】本發(fā)明涉及碳化硅基復(fù)合陶瓷熱電偶保護(hù)管及 其生產(chǎn)工藝。它以自結(jié)合(或再結(jié)晶)工藝生產(chǎn)的碳 化硅熱電偶保護(hù)管坯為基材，經(jīng)復(fù)合陶瓷浸漬劑浸漬 處理，再經(jīng)固化、焙燒等工藝制成碳化硅基復(fù)合陶瓷 熱電偶保護(hù)管，具有抗氧化性、耐腐蝕性、氣密性、
【摘要】 本發(fā)明是一種提高晶體管性能的新方法，能廣泛 應(yīng)用于晶體管、集成電路的生產(chǎn)。本發(fā)明要點(diǎn)是在室 溫和真空中用Ar+束輻照管芯背面來提高或調(diào)節(jié)hFE 和fT，它既完全克服了現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)和問題， 又能與常規(guī)生產(chǎn)工藝兼容，不僅能方便地調(diào)節(jié)或大幅 度提高h(yuǎn)FE和fT，又能保持晶體管的縱橫結(jié)構(gòu)參數(shù)和 反向擊穿特性不變。同時(shí)，易于避免雜質(zhì)玷污，有利 于產(chǎn)品穩(wěn)定性的提高。 來源：馬 克 團(tuán) 隊(duì) 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】華南理工大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】510641廣東省廣州市天河區(qū)五山 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】廣州市 【申請人區(qū)縣】天河區(qū) 【申請?zhí)枴緾N91100365.7 【申請日】1991-01-16 【申請年份】1991 【公開公告號】CN1053322A 【公開公告日】1991-07-24 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1021094C 【授權(quán)公告日】1993-06-02 【授權(quán)公告年份】1993.0 【IPC分類號】H01L21/02; H01L21/322; H01L21/70; H01L21/26 【發(fā)明人】曾紹鴻; 李觀啟; 黃美淺; 曾勇彪 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】一種提高晶體管性能的方法，其特征在于：把晶體管管芯片，分別用甲苯、丙酮、無水乙醇等有機(jī)溶劑經(jīng)超聲波依次清洗并烘干，然后把芯片背面朝上放置入氬離子束鍍膜刻蝕機(jī)的A+r離子束輻照區(qū)內(nèi)工作臺上，襯底為室溫、關(guān)閉裝片口密封閘門，把機(jī)內(nèi)工作室抽真空至(4～6.65)×10-3Pa，開啟充A+r氣的電磁閥，充入高純度氬氣，使真空度為(2.7～4)×10-2Pa，用能量為300～950eV、束流為0.10～0.95mAcm-2的A+r束輻照10～90分鐘。。（來 自 馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng)） 【當(dāng)前權(quán)利人】華南理工大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】廣東省廣州市天河區(qū)五山 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000455414429R 【被引證次數(shù)】8.0 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】9.0
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