【摘要】省略其它視圖。 開(kāi)蓋圖【專(zhuān)利類(lèi)型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】蔡喜東【申請(qǐng)人類(lèi)型】個(gè)人【申請(qǐng)人地址】515800廣東省澄?？h澄城西門(mén)直街36號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】汕頭市【申請(qǐng)人區(qū)縣】澄海區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N91300180.5【申請(qǐng)日
【摘要】 智能高壓大功率器件是一種具有自動(dòng)限流保護(hù) 的高壓大功率VDMOS器件，由高壓大功率分源 VDMOSFET、電阻和過(guò)流限制器件組成，過(guò)流限制 器件可以由雙極型晶體管或MOS管構(gòu)成，整個(gè)器件 制作在同一硅片襯底上，可采用常規(guī)的 VDMOSFET工藝實(shí)現(xiàn)，它既保持了高壓大功率 VDMOSFET的特性，又具有自動(dòng)過(guò)流保護(hù)功能，大 大提高了器件的可靠性，有利于簡(jiǎn)化器件應(yīng)用電路， 提高整機(jī)的可靠性，降低整機(jī)的成本。。來(lái)自馬-克-數(shù)-據(jù)-官網(wǎng) 【專(zhuān)利類(lèi)型】實(shí)用新型 【申請(qǐng)人】東南大學(xué) 【申請(qǐng)人類(lèi)型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】210018江蘇省南京市四牌樓2號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】南京市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】江寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N91213190.X 【申請(qǐng)日】1991-02-07 【申請(qǐng)年份】1991 【公開(kāi)公告號(hào)】CN2085564U 【公開(kāi)公告日】1991-09-25 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN2085564U 【授權(quán)公告日】1991-09-25 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】H01L27/088; H01L27/085 【發(fā)明人】茅盤(pán)松; 朱靜遠(yuǎn) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種具有自動(dòng)限流保護(hù)的高壓大功率VDMOS器件，由高壓壓大功率分源VDMOSFET、電阻和過(guò)流限制器件T組成，其特征在于VDMOSFET的柵引出端G與柵極G′間設(shè)有串聯(lián)電阻R1，分源端S2通過(guò)電阻R2與源引出端S相連接，過(guò)流限制器件的三端分別與G′、S2和S相連接。 【當(dāng)前權(quán)利人】東南大學(xué) 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】江蘇省南京市四牌樓2號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000466006770Q 【被引證次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】1.0
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