【摘要】底面為不常見面，省略仰視圖。【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海寺岡電子有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】201505上海市金山區(qū)亭林工業(yè)開發(fā)區(qū)南金公路6058號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】金山區(qū)【申請(qǐng)?zhí)?/p>
【摘要】 本發(fā)明涉及一種旨在獲得低閾值電流密度、高邊 模抑制比的可調(diào)諧分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器的波導(dǎo)和光柵結(jié) 構(gòu)，并發(fā)明了實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)要求的激光器一級(jí)光柵的制備方 法。所述的激光器波導(dǎo)與光柵結(jié)構(gòu)是一種利用一個(gè)深的一級(jí)光 柵和一個(gè)在光柵下方的薄的重?fù)诫s半導(dǎo)體層構(gòu)成波導(dǎo)中的限 制結(jié)構(gòu)。所述的光柵腐蝕技術(shù)是利用InGaAs/InP結(jié)構(gòu)作為光柵 的腐蝕犧牲層，選擇不同的腐蝕液配比，獲得深度大范圍可調(diào)， 精度可控的光柵結(jié)構(gòu)。 更多數(shù)據(jù)：www.macrodatas.cn 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200050上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610030991.3 【申請(qǐng)日】2006-09-08 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1945910A 【公開公告日】2007-04-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100405681C 【授權(quán)公告日】2008-07-23 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】H01S5/12; H01S5/20; H01S5/343; H01S5/00 【發(fā)明人】徐剛毅; 李耀耀; 李愛珍 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種可調(diào)諧分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器的波導(dǎo)與光柵的結(jié)構(gòu)，其特征 在于所述的分布反饋量子級(jí)聯(lián)激光器的波導(dǎo)與光柵結(jié)構(gòu)為：在n型InP襯底 上依次為InGaAs下波導(dǎo)層、InGaAs/AlInAs有源區(qū)、InGaAs上波導(dǎo)層中等 摻雜InP限制層、重?fù)诫sn型重?fù)诫sInP限制層和InGaAs帽層；n型重?fù)诫s InP限制層和InGaAs帽層為光柵的腐蝕層，控制重?fù)诫sInP層的厚度以及光 柵腐蝕的深度，使得一級(jí)光柵的深度≥0.5μm，光柵溝槽下方未被腐蝕的InP重?fù)诫s層為0.1μm，摻雜濃度以及各層厚度應(yīng)視激光器具體波長(zhǎng)，結(jié)合波導(dǎo) 理論的數(shù)值計(jì)算而定。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】5 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】5
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