【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】上海頂新箱包有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201500上海市金山區(qū)朱涇鎮(zhèn)亭楓公路3168號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】金山區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630034594.4【申請日】
【摘要】 本發(fā)明涉及一種相變存儲單元及其制備方法,其 特征在于:在襯底上覆蓋有下電極層;在下電極上覆蓋有絕熱 材料層,絕熱材料層中存在孔洞;孔洞中包含與下電極相通的 空心柱狀加熱電極材料結(jié)構(gòu);柱狀加熱電極上覆蓋有絕熱材料 層,絕熱材料層中包含與柱狀加熱電極套刻的孔洞;且在柱狀 加熱電極孔內(nèi)和絕熱材料層孔洞內(nèi)含有可逆相變材料層;在相 變材料層上覆蓋有絕熱材料層,在絕熱材料層中包含孔洞,并 在其內(nèi)填充了與相變材料相通的上電極材料。本發(fā)明將相變材 料限定在加熱電極的空心柱與絕熱材料中的孔洞里,在電脈沖 對存儲單元進行操作時,使相變材料處于高溫,高壓環(huán)境下, 優(yōu)先發(fā)生相變,誘導(dǎo)周圍的相變材料進一步相變,從而實現(xiàn)相 變存儲單元的低壓、低功耗、高速功能。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610117153.X 【申請日】2006-10-13 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1933207A 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100461484C 【授權(quán)公告日】2009-02-11 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】宋志棠; 劉波; 封松林; 陳邦明 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種相變存儲器存儲單元,其特征在于:在襯底上覆蓋有下電極層; 在下電極上覆蓋有絕熱材料層,絕熱材料層中存在孔洞;孔洞中包含與下電 極相通的空心柱狀加熱電極材料結(jié)構(gòu);柱狀加熱電極上覆蓋有絕熱材料層, 絕熱材料層中包含與柱狀加熱電極套刻的孔洞;且在柱狀加熱電極孔內(nèi)和絕 熱材料層孔洞內(nèi)含有可逆相變材料層;在相變材料層上覆蓋有絕熱材料層, 在絕熱材料層中包含孔洞,并在其內(nèi)填充了與相變材料相通的上電極材料。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】19 【被自引次數(shù)】5.0 【被他引次數(shù)】14.0 【家族被引證次數(shù)】21
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