【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請人】上海派瑞特塑業(yè)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201505上海市金山區(qū)亭林鎮(zhèn)興工路1號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】金山區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630038494.9【申請日】200
【摘要】 本發(fā)明涉及一種用于相變存儲器的鍺鈦基存儲 材料及制備方法。本發(fā)明鍺鈦基存儲材料組成式為 GexTiy，式中x、y為元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。 所述的 GexTiy基存儲材料，在施加電脈沖信號的情況下，發(fā)生了高阻態(tài) 與低阻態(tài)之間的可逆轉(zhuǎn)換特性，可以用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲。與傳 統(tǒng)的用于相變存儲器的SbTe、GeSbTe和SiSbTe等相變薄膜材 料相比，鍺鈦基存儲材料組分更簡單，不含任何有毒元素，并 且與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件制造工藝兼容性非常 好，是一種新型的、對環(huán)境友好的可用于相變存儲器的存儲材 料。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610117815.3 【申請日】2006-10-31 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1953229A 【公開公告日】2007-04-25 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】宋志棠; 沈婕; 劉波; 封松林; 陳邦明 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種用于相變存儲器的鍺鈦基存儲材料，其特征在于所述鍺鈦基存 儲材料組成式為GexTiy，式中x、y為元素的原子百分比，且0＜x＜1；0＜y＜1。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】3 【家族被引證次數(shù)】3
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