【摘要】本外觀設(shè)計產(chǎn)品為回轉(zhuǎn)體，省略其它視圖。【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】上?？雕R電器有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201515上海市金山區(qū)錢圩鎮(zhèn)呂張公路1018號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】金山區(qū)【申請
【摘要】 本發(fā)明涉及一種多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂層及其制備方法，屬于多孔陶瓷的表面改性領(lǐng)域。其特征在于將欲改性的多孔陶瓷體置于浸漬罐內(nèi)，抽真空后向浸漬罐內(nèi)注入聚碳硅烷溶液，然后通入高壓氣體，使聚碳硅烷溶液在高壓下完全進(jìn)入多孔陶瓷的孔道，從而在孔壁上形成均勻的涂層。干燥后，浸漬體在氬氣中高溫處理，使聚碳硅烷裂解為碳化硅，得到多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂層。通過多次浸漬－裂解，可以制備不同厚度的涂層。本發(fā)明所提供的涂層為β－SiC，適用于帶互連孔隙結(jié)構(gòu)，孔徑在0.1微米，開口孔隙率大于30％的多孔陶瓷，如氧化鋁多孔陶瓷、莫來石多孔陶瓷、氧化物結(jié)合的碳化硅或氮化硅多孔陶瓷或堇青石多孔陶瓷。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)定西路1295號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610147624.1 【申請日】2006-12-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1994974A 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】C04B41/85; C04B38/00 【發(fā)明人】丁書強(qiáng); 曾宇平; 朱云洲; 江東亮 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種多孔陶瓷的孔壁碳化硅涂層，其特征在于所述的多孔陶瓷的基 體為帶有互連孔隙結(jié)構(gòu)；涂層是由聚碳硅烷高溫裂解的β-SiC組成。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)定西路1295號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006547H 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】23 【他引次數(shù)】2.0 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】21.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】23
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