【專利類型】外觀設計【申請人】上海頂新箱包有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201500上海市金山區(qū)朱涇鎮(zhèn)亭楓公路3168號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】金山區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630034591.0【申請日】
【摘要】 本發(fā)明涉及一種可在多種基材表面形成疏水透 明薄膜的方法，所述的基材為玻璃、陶瓷、金屬或油漆中一種。 在塑料或油漆表面通過氧化物溶膠嫁接，預先形成含羥基的氧 化物薄膜，再涂覆氟硅烷等成分。其他基材直接涂覆氟硅烷等 成分，氟硅烷中氟代烷基的三氟甲基和二氟亞甲基等氟碳基團 垂直于基材朝外排列。在催化劑的作用下，使氟硅烷中與硅原 子連接的乙氧基團預先水解為羥基，水解后的溶液保存在低級 一元醇或二元醇等有機溶劑中，施工后水解的氟硅烷直接與氧 化物表面的金屬羥基鍵作用，得到高穩(wěn)定性的M－O－Si鍵合。 形成的厚度為幾個到幾十個納米的薄膜無需經過熱處理，在10 －25℃常溫下與基材形成牢固的化學結合。 （macrodatas.cn） （來 自 馬 克 數(shù) 據(jù) 網） 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)定西路1295號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610116543.5 【申請日】2006-09-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1931448A 【公開公告日】2007-03-21 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100429009C 【授權公告日】2008-10-29 【授權公告年份】2008.0 【發(fā)明人】張青紅; 高濂; 林小華 【主權項內容】1、一種可在多種基材表面形成疏水透明薄膜的方法，其特征在于依不同基材可采用下述兩種方法中任意一種， A.對表面為金屬羥基鍵的基材上形成疏水透明薄膜的工藝步驟是： (1)羥基化氟硅烷溶液的配制 首先量取一定體積德氟硅烷，倒入攪拌的一元醇、二元醇或一元醇與二元醇的混合物中攪拌，然后加入稀酸，稀酸釋放的氫離子與氟硅烷中硅的摩爾比為1∶300到1∶10，稀酸的濃度為0.05-0.1M，攪拌均勻后再40-70℃溫度下使氟硅烷中的乙氧基水解為含羥基的氟硅烷醇，然后冷卻至10-25℃后將溶液稀釋至稀釋液中羥基化氟硅烷的質量百分比濃度為0.5-5.0％； (2)將步驟(1)配制的羥基化氟硅烷溶液涂復在基材表面，在10-25℃室溫下硅羥基鍵與被涂材料表面的金屬鍵形成化學結合，形成薄膜，所制備的疏水薄膜，所制備的疏水薄膜中氟硅烷中的氟碳基因垂直于基材朝外排列； B.對表面不含金屬羥基鍵的油漆或塑料基材上形成疏水透明薄膜的工藝步驟是： (1)羥基化氟硅烷溶液的配制 首先量取一定體積德氟硅烷，倒入攪拌的一元醇、二元醇或一元醇與二元醇的混合物中攪拌，然后加入稀酸，稀酸釋放的氫離子與氟硅烷中硅的摩爾比為1∶300到1∶10，稀酸的濃度為0.05-0.1M，攪拌均勻后再40-70℃溫度下使氟硅烷中的乙氧基水解為含羥基的氟硅烷醇，然后冷卻至10-25℃后將溶液稀釋至稀釋液中羥基化氟硅烷的質量百分比濃度為0.5-5.0％； (2)使用氧化鋁、氧化硅、一水軟鋁石或氧化鈦溶膠對所述的基材表面進行改性，使其表面嫁接上金屬羥基鍵； (3)嫁接后的基材表面，在10-25℃室溫下將步驟(1)配制的羥基化 氟硅溶液，形成M-o-Si化學結合，其中M為硅、鋁或鈦中一種金屬元素。 【當前權利人】中國科學院上海硅酸鹽研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區(qū)定西路1295號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數(shù)】32 【被他引次數(shù)】32.0 【家族被引證次數(shù)】33
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