【摘要】平面產(chǎn)品，省略其它視圖。【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】上海恒昊玻璃技術(shù)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200000上海市長寧區(qū)新華路365弄6號4號樓2B【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】長寧區(qū)【申請?zhí)枴緾
【摘要】 本發(fā)明提供一種晶體硅太陽電池熱擴散制備PN結(jié)的新方法，該方法涉及晶體硅太陽電池技術(shù)領(lǐng)域，其步驟包括：在常規(guī)晶體硅太陽電池生產(chǎn)工藝過程第(3)步熱擴散制備PN結(jié)工藝中增加硅片降溫、控制溫度和時間等步驟，即硅片離開高溫擴散爐前先降溫，其方法是使石英管中硅片溫度降低200℃～300℃。具體步驟如下：a.設(shè)置熱擴散工藝參數(shù)制備PN結(jié)；b.對石英管中硅片降溫，使硅片溫度比擴散溫度低200℃～300℃，降溫時間為(10～60)分鐘；c.從石英管中取出硅片。采用上述新方法，能降低晶體硅熱損傷，減小熱應(yīng)力彎曲或碎裂，減少空氣中雜質(zhì)對PN結(jié)的影響，提高晶體硅太陽電池的電流、電壓、功率及光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】唐則祁 【申請人類型】個人 【申請人地址】200042上海市長寧區(qū)江蘇北路111弄3號406室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610027299.5 【申請日】2006-06-05 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101087006A 【公開公告日】2007-12-12 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN101087006B 【授權(quán)公告日】2011-04-20 【授權(quán)公告年份】2011.0 【IPC分類號】H01L31/18 【發(fā)明人】唐則祁 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種晶體硅太陽電池熱擴散制備PN結(jié)的方法，擴散工藝參 數(shù)包括擴散溫度、擴散時間及氣體流量等，其特征在于，所述的熱擴 散制備PN結(jié)，包括以下工藝步驟： a、設(shè)置熱擴散工藝參數(shù)制備PN結(jié)； b、對石英管中硅片降溫，使硅片溫度比擴散溫度低200℃～300 ℃，降溫時間為(10～60)分鐘； c、從石英管中取出硅片。 【當前權(quán)利人】浙江光達電子科技有限公司 【當前專利權(quán)人地址】浙江省溫州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)濱海園區(qū)五道十三路308號 【被引證次數(shù)】8 【被他引次數(shù)】8.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】8
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