【摘要】1.該產(chǎn)品由組件1蛋杯和組件2鹽罐組裝而成，蛋杯在上，鹽罐在下，二者可分開使用； 2.組件1的后視圖與主視圖相同，省略后視圖，組件1的 左視圖與右視圖相同，省略左視圖；組件2的后視圖與主視圖相同， 省略后視圖，組件2的左視圖與右視圖
【摘要】 馬-克-數(shù)據(jù) 本發(fā)明涉及一種電子束曝光中套刻工藝的實現(xiàn) 方法，屬于微電子領域。其特征在于將套刻標志放置于曝光圖 形的中央，而后利用電鏡放大倍數(shù)的縮放來實現(xiàn)套刻。傳統(tǒng)的 套刻技術是將對準標記和圖形結構的位置獨立開來，但是這需 要較為昂貴的定位工件臺來支持。針對現(xiàn)在實驗電子束曝光的 設備(主要是掃描電子顯微鏡外配圖形發(fā)生器)。本發(fā)明提出了 一種不需要定位工件臺來實現(xiàn)套刻的方法，其套準精度小于μ m，可以滿足亞微米及納米器件制備的工藝要求。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市長寧區(qū)長寧路865號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610030768.9 【申請日】2006-09-01 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1912747A 【公開公告日】2007-02-14 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】G03F7/20; G03F9/00 【發(fā)明人】宋志棠; 呂士龍; 劉波; 封松林 【主權項內容】1、一種電子束曝光中套刻工藝的實現(xiàn)方法，其特征在于實現(xiàn)方法的步 驟是： (a)器件版圖的設計，設計出需要曝光的圖形結構，使不同曝光順序 的圖形結構放置于不同的曝光層中；版圖設計的最大區(qū)域取決于掃描電鏡的 最小放大倍數(shù)下所能觀察到的區(qū)域； (b)對準標記的設計，對準標記放置于版圖的中心區(qū)域，套刻精度小 于1μm時，標記長度為30-50μm； (c)對準標記，先在電鏡低的放大倍數(shù)下找到標記，在標記的中心區(qū) 域將電子束焦聚調整好，然后將標記的中心與圖形發(fā)生器圖像掃描中心對 準，逐漸調整放大倍數(shù)，逐漸調整中心對準程度；兩個中心對準程度愈高則 套刻的精度愈高； (d)調整放大倍數(shù)，在步驟(c)標準對準后將電鏡的放大倍數(shù)調整到 曝光時的狀態(tài)； (e)確定曝光結構，選擇需要曝光的圖形所在的圖層，設置好相應得 曝光參數(shù)、進行曝光。 數(shù)據(jù)由馬 克 團 隊整理 【當前權利人】中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所 【當前專利權人地址】上海市長寧區(qū)長寧路865號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006790C 【被引證次數(shù)】6 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】4.0 【家族被引證次數(shù)】6
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