【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】上海精益電器廠有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200051上海市中山西路333號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】長寧區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630037556.4【申請日】2006-0
【摘要】 一種單粒子束刻蝕薄膜的單納米孔制作方法，屬于納米技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明將固體絕緣薄膜置于帶有粒子檢測裝置的一個可水平旋轉(zhuǎn)的載體上，用單粒子束刻蝕該薄膜，單粒子束入射角大于等于9.6°、小于等于90°，并且單粒子束在該薄膜底部、頂部、或二者之間與薄膜旋轉(zhuǎn)軸交叉，待單粒子束完全穿透該薄膜后，固體絕緣薄膜底部的粒子監(jiān)測器反饋使該薄膜被穿透處與單粒子束相對移動1，再刻蝕，如此反復(fù)，直至固體絕緣薄膜旋轉(zhuǎn)一周，獲得圓臺形、雙倒圓臺形或圓筒形的單納米孔。本發(fā)明方法制備的單納米孔，孔徑在1個nm級可控，孔深在從級到μm級可控，適于分辨單鏈DNA或RNA分子的堿基組分和檢測雙鏈DNA分子的大小，為核酸測序提供了關(guān)鍵器件。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610147232.5 【申請日】2006-12-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1986383A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】B81B1/00; B81C5/00; G01N27/28; G01N27/416; B81C99/00 【發(fā)明人】王志民 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種單粒子束刻蝕薄膜的單納米孔制作方法，其特征在于，所述方法具 體為：將固體絕緣薄膜置于帶有粒子檢測裝置的一個可水平旋轉(zhuǎn)的載體上，用單 粒子束刻蝕固體絕緣薄膜，單粒子束入射角大于等于9.6°小于等于90°，并且 單粒子束在該薄膜底部、頂部、或二者之間與固體絕緣薄膜旋轉(zhuǎn)軸交叉，待單粒 子束完全穿透該薄膜后，固體絕緣薄膜底部的粒子監(jiān)測器反饋使載體旋轉(zhuǎn)一次， 使固體絕緣薄膜被穿透處與單粒子束相對移動1，再刻蝕，如此反復(fù)，直至固 體絕緣薄膜旋轉(zhuǎn)一周，獲得單納米孔。 www.macrodatas.cn 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數(shù)】1.0 【被引證次數(shù)】2 【他引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】2
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