【摘要】本發(fā)明涉及一種制備導(dǎo)電氮化硅氮化鈦納米復(fù) 合材料的方法，其特征在于在液氨溶液中，以 Si3N4粉為成核基體，鈦的鹵化物和堿金屬為反應(yīng)原料，按 Si3N4與TiN的體積比為90∶10～75∶25配料，在 Si3N4顆粒表面一步原位反應(yīng)
【摘要】 一種微細(xì)加工技術(shù)領(lǐng)域的順次多種等離子體處理碳納米管薄膜表面形貌的方法。本發(fā)明用不同種刻蝕氣體順次對(duì)碳納米管薄膜進(jìn)行等離子體表面處理，具體為：先是一次或者多次使用化學(xué)反應(yīng)性氣體，對(duì)碳納米管薄膜進(jìn)行反應(yīng)離子輔助等離子體處理；然后使用物理作用性氣體，對(duì)碳納米管薄膜進(jìn)行等離子體表面處理。本發(fā)明能在完全無序排布的碳納米管薄膜的基礎(chǔ)上，使碳納米管在薄膜表面的露出高度、密度得到調(diào)制，經(jīng)過處理后的碳納米管薄膜的表面形貌，露出高度、密度均勻，有很好的垂直取向性。本發(fā)明可極大地優(yōu)化薄膜表面質(zhì)量，并完全兼容于各種基于微電子加工技術(shù)，適于加工實(shí)現(xiàn)陣列化設(shè)計(jì)和批量生產(chǎn)。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610023239.6 【申請(qǐng)日】2006-01-12 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1321223C 【公開公告日】2007-06-13 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN1321223C 【授權(quán)公告日】2007-06-13 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號(hào)】C23C16/513; C01B31/02; C23C16/50; C01B31/00 【發(fā)明人】侯中宇; 蔡炳初; 張亞非; 徐東 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種順次多種等離子體處理碳納米管薄膜表面形貌的方法，其特征在于， 用不同種刻蝕氣體順次對(duì)碳納米管薄膜進(jìn)行等離子體表面處理，具體為：先是 一次或者多次使用化學(xué)反應(yīng)性氣體，即能夠與碳納米管發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的刻蝕氣 體，對(duì)碳納米管薄膜進(jìn)行反應(yīng)離子輔助等離子體處理；然后使用物理作用性氣 體，即不能與碳納米管發(fā)生反應(yīng)而只能進(jìn)行物理轟擊的刻蝕氣體，對(duì)碳納米管 薄膜進(jìn)行等離子體表面處理。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數(shù)】2.0 【他引次數(shù)】2.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】7
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