【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】楊小晶【申請(qǐng)人類型】個(gè)人【申請(qǐng)人地址】201100上海市閔行區(qū)畹町路99弄52號(hào)301室【申請(qǐng)人地區(qū)】中國【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630041467.7【申請(qǐng)日】2006-1
【摘要】 本發(fā)明公開了一種非晶硅－晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池的結(jié)構(gòu)，在太陽電池受光面電極與N型硅擴(kuò)散層間還包括有一層非晶硅薄膜層；該非晶硅薄膜層與N型硅擴(kuò)散層形成異質(zhì)高低結(jié)結(jié)構(gòu)。本發(fā)明利用不同性質(zhì)半導(dǎo)體材料不同的光吸收特性和半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)帶來的二維電子氣效應(yīng)，達(dá)到了比普通的晶體硅太陽電池更高光電轉(zhuǎn)換效率；比普通非晶硅太陽電池更好的長期使用穩(wěn)定性和更高的光電轉(zhuǎn)換效率；以及比單純的非晶硅－單晶硅異質(zhì)結(jié)太陽電池具有更低的串聯(lián)電阻，更易于得到較高的光電轉(zhuǎn)換效率。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海太陽能科技有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】201108上海市莘莊工業(yè)區(qū)申南路555號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610024876.5 【申請(qǐng)日】2006-03-20 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN101043058A 【公開公告日】2007-09-26 【公開公告年份】2007 【IPC分類號(hào)】H01L31/042; H01L31/072; H01L31/0376; H01L31/0747 【發(fā)明人】袁曉; 李濤勇 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種非晶硅—晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽電池，包括依順序疊層結(jié)合的受 光面電極、N型硅擴(kuò)散層、P型硅襯底層和背電極；其特征在于，在受光面 電極與N型硅擴(kuò)散層間還包括有一層非晶硅薄膜層，該非晶硅薄膜層與N型 硅擴(kuò)散層形成異質(zhì)高低結(jié)結(jié)構(gòu)。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海太陽能科技有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市莘莊工業(yè)區(qū)申南路555號(hào) 【專利權(quán)人類型】其他有限責(zé)任公司 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】9131011263168762XU 【被引證次數(shù)】19 【被他引次數(shù)】19.0 【家族被引證次數(shù)】19
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