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【摘要】 一種低溫下制備銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜的方法，屬于寬禁帶半導(dǎo)體光催化科技領(lǐng)域。本發(fā)明通過(guò)反應(yīng)磁控濺射在基材上沉積二氧化鈦膜，在沉積過(guò)程中基材所在基底不加熱且通過(guò)水冷系統(tǒng)冷卻，氬氣流量保持在30sccm，調(diào)節(jié)氬氣與氧氣的流量比在10∶1至5∶1之間，調(diào)節(jié)總氣壓在1Pa－4Pa之間，調(diào)節(jié)功率密度在1.4W/cm2－2.8W/cm2之間，在基底上加上負(fù)偏壓在20V－100V之間，然后開(kāi)始直流反應(yīng)磁控濺射成膜，在沉積薄膜的過(guò)程中，腔體內(nèi)等離子體中大量氬正離子在基底偏壓的驅(qū)動(dòng)下對(duì)沉積過(guò)程中的二氧化鈦薄膜進(jìn)行有效轟擊，基底溫度始終低于80℃，最終實(shí)現(xiàn)在不耐熱的基材上制備具有光致活性的銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】上海交通大學(xué) 【申請(qǐng)人類(lèi)型】學(xué)校 【申請(qǐng)人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610147219.X 【申請(qǐng)日】2006-12-14 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN100999816A 【公開(kāi)公告日】2007-07-18 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100465332C 【授權(quán)公告日】2009-03-04 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類(lèi)號(hào)】C23C14/35; C23C14/54; C23C14/08 【發(fā)明人】鐘曉霞; 周威; 束奇?zhèn)? 夏宇興 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種低溫下制備銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜的方法，其特征在于，步驟如 下： (1)將用于制備薄膜的基材清洗后烘干后備用； (2)將鈦靶固定在磁控陰極靶托上，并將清洗烘干后用于制備薄膜的基材 固定在磁控濺射系統(tǒng)真空室的樣品基座上，調(diào)節(jié)靶面至樣品的距離以及靶表面上 濺射區(qū)域的磁場(chǎng)強(qiáng)度； (3)烘烤磁控濺射系統(tǒng)真空室，待真空室本底真空抽至1×10-4Pa以下時(shí)， 通入氬氣，直至氣壓達(dá)到0.8Pa-4Pa之間后，對(duì)濺射系統(tǒng)中的鈦靶進(jìn)行直流 輝光濺射清洗； (4)待濺射清洗完成后，通過(guò)反應(yīng)磁控濺射在基材上沉積二氧化鈦膜，在 沉積過(guò)程中基材所在基底不加熱且通過(guò)水冷系統(tǒng)冷卻，調(diào)節(jié)氬氣與氧氣的流量 比在10∶1至5∶1之間，調(diào)節(jié)總氣壓在1Pa-4Pa之間，調(diào)節(jié)功率密度在1.4 W/cm2-2.8W/cm2之間，在基底上加上負(fù)偏壓在20V-100V之間，然后開(kāi)始直 流反應(yīng)磁控濺射成膜，在整個(gè)過(guò)程中，基底溫度始終低于80℃； (5)濺射后從真空室取出試樣，即在基材表面沉積了一層具有光致活性的 銳鈦礦晶相二氧化鈦薄膜。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】1210000042500615X0 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】15 【他引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】15.0 【家族引證次數(shù)】7.0 【家族被引證次數(shù)】16

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