【摘要】本發(fā)明公開了一種硅太陽電池的結(jié)構(gòu)，包括電池背電極、半導體硅襯底層和費米能級不同于半導體硅襯底層的半導體薄膜層，在半導體硅襯底層的材料受光面的表面制備有具有準一維納米晶體結(jié)構(gòu)，這層納米晶體結(jié)構(gòu)的孔隙被半導體薄膜層填充，兩者形成具有分離
【摘要】 1.薄型產(chǎn)品，省略其它視圖。 2.請求保護的外觀設(shè)計包含色彩。 【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】上海仙裳工貿(mào)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201108上海市閔行區(qū)銀都路2988號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630047291.6 【申請日】2006-12-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300700372D 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN300700372D 【授權(quán)公告日】2007-10-17 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】金曉紅 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當前權(quán)利人】上海仙裳工貿(mào)有限公司 【當前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)銀都路2988號 【專利權(quán)人類型】有限責任公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】91310112703336635E
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