【摘要】1.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品后視圖和主視圖對稱，省略后視圖。 2.本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品右視圖和左視圖對稱，省略右視圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計(jì)【申請人】上海大師玉雕有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】200010上海市黃浦區(qū)傅家街65號(hào)4樓【申請人
【摘要】 本發(fā)明提供一種低生長束流下離子束濺射技術(shù)自組織生長Ge量子點(diǎn)的方法，包括離子束真空濺射，并使用氬(Ar)氣作為工作氣體，其特征在于控制低生長束流為2mA～10mA，并在束流電壓為0.2KV～1.5KV，濺射壓強(qiáng)為1.0×10－2Pa～4.0×10－2Pa，生長溫度為室溫～400℃的條件下，在硅(Si)基底材料上濺射沉積Ge/Si多層膜，，得到島狀自組織生長的Ge量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。有效解決了常規(guī)技術(shù)制備量子點(diǎn)材料存在的生產(chǎn)成本高、工藝復(fù)雜、不利于大規(guī)模生產(chǎn)等不足，獲得密度大、尺寸均勻的量子點(diǎn)材料，其制備的量子點(diǎn)材料，是在價(jià)格低廉，可產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的離子束濺射設(shè)備上進(jìn)行的，這樣不僅可降低量子點(diǎn)的生產(chǎn)成本，還可提高生產(chǎn)效率，是制備量子點(diǎn)的一種簡易而高效的方法。 數(shù)據(jù)由馬 克 團(tuán) 隊(duì)整理 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】云南大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】650091云南省昆明市五華區(qū)翠湖北路2號(hào) 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區(qū)縣】五華區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610048900.9 【申請日】2006-12-11 【申請年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1974838A 【公開公告日】2007-06-06 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100500929C 【授權(quán)公告日】2009-06-17 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】楊宇; 宋超; 孔令德; 張曙 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種低生長束流下離子束濺射技術(shù)自組織生長Ge量子點(diǎn)的方法， 包括離子束真空濺射，并使用氬(Ar)氣作為工作氣體，其特征在于控制 低生長束流為2mA～10mA，并在束流電壓為0.2KV～1.5KV，濺射壓強(qiáng)為 1.0×10-2Pa～4.0×10-2Pa，生長溫度為室溫～400℃的條件下，在硅(Si) 基底材料上濺射沉積Ge/Si多層膜，得到島狀自組織生長的Ge量子點(diǎn)結(jié)構(gòu) 的薄膜材料。 【當(dāng)前權(quán)利人】云南大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省昆明市呈貢區(qū)大學(xué)城東外環(huán)南路 【專利權(quán)人類型】公立 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】125300004312032649 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.duba2008.cn/1775738805.html
喜歡就贊一下
