【摘要】本發(fā)明涉及一種在單晶硅基底表面直接制備Cr －Si硅化物電阻薄膜的方法，通過使用高Si含量的Cr－Si鑄 造合金靶材(原子比[Si][Cr]＞2)，利用磁控濺射法直接在單晶 Si基底上制備電阻薄膜。所制備的高Si含量的Cr－Si薄膜
【摘要】 本實(shí)用新型涉及一種酒包裝瓶，屬酒包裝用具技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型的酒包裝瓶由其上設(shè)有螺紋的瓶口(1)、與瓶口(1)連接的其上設(shè)有一凸出圓環(huán)帶的圓弧形的瓶頸(2)、與瓶頸(2)連接的瓶體(4)構(gòu)成；其中：瓶體(4)的上部為一直徑大于瓶體(4)的圓弧形臺面，底部為其上開有一圓形凹槽的實(shí)心圓柱體(5)，實(shí)心圓柱體(5)的端面設(shè)有防滑動的月牙狀的環(huán)形凸臺。本實(shí)用新型采用現(xiàn)有的玻璃制瓶工藝制作。本實(shí)用新型具有結(jié)構(gòu)新穎、使用方便、具有收藏價值等優(yōu)點(diǎn)。 關(guān)注公眾號馬克數(shù)據(jù)網(wǎng) 【專利類型】實(shí)用新型 【申請人】尋甸天浩酒業(yè)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】650021云南省昆明市人民東路11號天浩大廈五樓 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】昆明市 【申請人區(qū)縣】盤龍區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200620022624.4 【申請日】2006-12-21 【申請年份】2006 【公開公告號】CN200981661Y 【公開公告日】2007-11-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN200981661Y 【授權(quán)公告日】2007-11-28 【授權(quán)公告年份】2007.0 【IPC分類號】B65D1/02 【發(fā)明人】孫浩然 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】權(quán)利要求書 1、一種酒包裝瓶，其特征在于該酒包裝瓶由其上設(shè)有螺紋的瓶口(1)、 與瓶口(1)連接的其上設(shè)有一凸出圓環(huán)帶的圓弧形的瓶頸(2)、與瓶頸 (2)連接的瓶體(4)構(gòu)成；其中：瓶體(4)的上部為一直徑大于瓶體 (4)的圓弧形臺面，底部為其上開有一圓形凹槽的實(shí)心圓柱體(5)，實(shí) 心圓柱體(5)的端面設(shè)有防滑動的月牙狀的環(huán)形凸臺。 馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】尋甸天浩酒業(yè)有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省昆明市人民東路11號天浩大廈五樓 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(自然人投資或控股) 【統(tǒng)一社會信用代碼】91530129784618553C
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.duba2008.cn/1775761556.html
喜歡就贊一下
