【摘要】本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效 果:通過上述方案,即在傾斜的磁選板上設(shè)有由N極、S極交 錯(cuò)設(shè)置的磁體組成的弱磁段、中磁段和強(qiáng)磁段,且各磁段之間 通過槽溝進(jìn)行分隔,礦料進(jìn)入磁選板后,沿傾斜的磁選板由高 向低自然流動(dòng),以便在自
【摘要】 1.請(qǐng)求保護(hù)色彩。 2.圖中A區(qū)域透明。 3.使用狀態(tài)如使用狀態(tài)參考圖1、2所示。 【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】蘇志強(qiáng) 【申請(qǐng)人類型】個(gè)人 【申請(qǐng)人地址】650000云南省昆明市西山區(qū)前衛(wèi)鎮(zhèn)孫家灣20號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】昆明市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】西山區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630021033.0 【申請(qǐng)日】2006-07-18 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN3644738D 【公開公告日】2007-05-16 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3644738D 【授權(quán)公告日】2007-05-16 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】蘇志強(qiáng) 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】蘇志強(qiáng) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】云南省昆明市西山區(qū)前衛(wèi)鎮(zhèn)孫家灣20號(hào)
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