【摘要】本實(shí)用新型涉及一種礦井下使用的瓦斯避難和救生壓風(fēng)呼吸裝置。該裝置由兩套過(guò)濾調(diào)壓配風(fēng)器(4)和一個(gè)安全密封艙(9)，防卸壓閥(1)及彈性正壓口罩等組成，它解決了在高沼氣礦或突出瓦斯礦中一旦瓦斯逸出或發(fā)生爆炸時(shí)，作業(yè)人員利用該裝置避免窒
【摘要】 一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它由第一導(dǎo)電類型的襯底、第二導(dǎo)電類型的源、漏區(qū)、柵氧化層和柵極構(gòu)成。村底為N型硅，源、漏區(qū)由離子注入摻雜P型硅或摻雜N型硅組成。柵氧化層采用摻氟氧化工藝，在800℃或更低溫度下氧化和氟處理形成，其界面為單個(gè)原子層平整，點(diǎn)電荷數(shù)在1×1010/厘米2量級(jí)范圍中，從而滿足了溝道載流子散射少，電流波動(dòng)小以及淺結(jié)、短溝道要求。是一種高速、低噪聲晶體管。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N88105537.9 【申請(qǐng)日】1988-06-27 【申請(qǐng)年份】1988 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1012117B 【公開(kāi)公告日】1991-03-20 【公開(kāi)公告年份】1991 【授權(quán)公告號(hào)】CN1012117B 【授權(quán)公告日】1991-03-20 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號(hào)】H01L29/784 【發(fā)明人】龍偉; 徐元森 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】一種金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括一個(gè)第一導(dǎo)電類型的襯底、一個(gè)第二導(dǎo)電類型的源區(qū)、一個(gè)第二導(dǎo)電類型的漏區(qū)、一個(gè)柵氧化層以及柵極。襯底為元素半導(dǎo)體硅，源、漏區(qū)由離子注入摻雜Ｐ型硅或摻雜Ｎ型硅組成，其特征在于柵氧化層和硅之間的界面為單原子級(jí)平整，界面電荷數(shù)在１×１０↑［１０］厘米↑［２］量級(jí)范圍，溝道區(qū)域的載流子有效遷移率比常規(guī)ＭＯＳＦＥＴ提高７０－１００％。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海冶金研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長(zhǎng)寧區(qū)長(zhǎng)寧路865號(hào) 【家族被引證次數(shù)】4.0
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