【摘要】一種在NPN型硅臺面高反壓管生產(chǎn)中的擴鎵工藝，屬于NPN型硅臺面高反壓管生產(chǎn)工藝。將拋光、氧化后的硅片置于擴散爐里進行開管擴鎵，先采用低濃度鎵摻雜，結(jié)深推移，后表面高濃度鎵摻雜，兩者在同一爐內(nèi)連續(xù)完成以形成P型基區(qū)，在磷擴散再分布后
【摘要】 本發(fā)明為一種蒸氣壓縮式制冷裝置，特別適用于 蒸氣壓縮式電冰箱和空氣調(diào)節(jié)裝置。該裝置的制冷 系統(tǒng)中，在干燥過濾器與蒸發(fā)器之間有一個溫差式膨 脹閥，閥的左右感溫管分別感受閥的出口端至壓縮機 吸入端之間選定的兩點溫度或分別感受環(huán)境溫度和 回氣管溫度，根據(jù)兩者的溫差自動調(diào)節(jié)制冷劑的循環(huán) 量，由于該裝置不但制冷工況能自動調(diào)節(jié)，而且蒸發(fā) 面積利用率和平均制冷量都得到提高，因此制冷性能 和制冷效率均得到改善。 搜索馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng) 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】鄧永林; 閻敏 【申請人類型】個人 【申請人地址】100095北京市八十一號信箱64分箱 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】北京市 【申請人區(qū)縣】海淀區(qū) 【申請?zhí)枴緾N89105521.5 【申請日】1989-08-21 【申請年份】1989 【公開公告號】CN1049712A 【公開公告日】1991-03-06 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1019894C 【授權(quán)公告日】1993-02-10 【授權(quán)公告年份】1993.0 【IPC分類號】F25B41/06; F25B41/04 【發(fā)明人】鄧永林; 閻敏 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種用溫差式膨脹閥作節(jié)流控制的蒸氣壓縮式制冷裝置，該裝置的制冷系統(tǒng)有壓縮機(1)、冷凝器(2)、干燥過濾器(3)、蒸發(fā)器(5)及回氣管(6)，其特征是在干燥過濾器(3)與蒸發(fā)器(5)之間有一個溫差式膨脹閥(4)，閥的進口端用連接管與干燥過濾器(3)的出口端相連，閥的出口端用連接管(7)與蒸發(fā)器(5)的進口端相連，閥的左右感溫管(4a、4b)分別感受閥的出口端至壓縮機(1)吸氣端之間選定的兩點溫度或分別感受環(huán)境溫度和回氣管(6)溫度。 【當前權(quán)利人】鄧永林; 閻敏 【當前專利權(quán)人地址】北京市八十一號信箱64分箱; 【被引證次數(shù)】6.0 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】7.0
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