【摘要】本發(fā)明在于提供一種當(dāng)井壁后為含水砂層時的后注漿工藝，其特征是打穿井壁，通過打孔、固定孔口管、注漿等工序向井壁裂隙及壁后的含水砂層中注漿，使含水砂層得到固結(jié)，形成一定厚度的帷幕層并與井壁連成一體，切斷水源，井壁裂隙得到充填，井壁受力狀
【摘要】 本發(fā)明屬一種在半導(dǎo)體襯底表面選擇性生長金剛石膜的方法。本方法利用了在不同材料表面金剛石成核密度具有很大差異這一性質(zhì)，實現(xiàn)了金剛石膜的選擇性生長。主要工藝過程為研磨，生長隔離膜，光刻，制備金剛石膜，化學(xué)腐蝕等。所制備的金剛石膜具有質(zhì)量高，選擇性生長好，不破壞襯底等優(yōu)點，而且制備參數(shù)易于控制，工藝簡單，成品率高。本方法制備的金剛石膜可應(yīng)用于大規(guī)模集成電路，微波器件，光電器件等半導(dǎo)體器件的制備。 【專利類型】發(fā)明授權(quán) 【申請人】吉林大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】吉林省長春市朝陽區(qū)解放大路83號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】長春市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N89107565.8 【申請日】1989-09-29 【申請年份】1989 【公開公告號】CN1013965B 【公開公告日】1991-09-18 【公開公告年份】1991 【授權(quán)公告號】CN1013965B 【授權(quán)公告日】1991-09-18 【授權(quán)公告年份】1991.0 【IPC分類號】C23C16/04; H01L21/31; C23C16/26; H01L21/02 【發(fā)明人】金曾孫; 于三; 呂憲義; 鄒廣田 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種在半導(dǎo)體材料襯底表面選擇性生長金 剛石膜的方法，首先對襯底表面進行研磨，其特征 在于研磨之后，進行生長隔離膜、光刻、制備金剛 石膜、酸腐蝕等工藝過程， ——所說的生長隔離膜，是在研磨過的半導(dǎo) 體襯底表面生長另一種材料的薄膜，以便造成金剛 石成核密度隨材料不同而有差異的條件； ——所說的光刻是用光刻腐蝕法在襯底表面 的隔離膜上開出“窗口”，使需要生長金剛石膜的 部位裸露出研磨過的半導(dǎo)體襯底表面； ——所說的制備金剛石膜是以CH4和H2作原 料氣體用熱解化學(xué)氣相沉積法制備金剛石膜； ——所說的酸腐蝕，是在生長金剛石膜之后， 用酸溶液除去隔離膜及生長于其上的分立的金剛石 顆粒。 【當(dāng)前權(quán)利人】吉林大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】吉林省長春市朝陽區(qū)解放大路83號 【統(tǒng)一社會信用代碼】121000004232040648 【家族被引證次數(shù)】4.0
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