【摘要】一種新型滾盤，它為紡織機械類。其特征是滾盤 的帶梢中心孔上設有定位銷，主轉動軸和滾盤的中心 孔的中間穿入帶梢緊定襯套，緊定螺母固定在緊定襯 套的前端螺紋上。本實用新型除主轉動軸外均由塑 料制成。具有重量輕、噪音小、節(jié)電、耐磨、抗腐蝕
【摘要】 發(fā)光二極管集成矩陣組件及制法，屬半導體電光 集成器件及其制備方法，本發(fā)明以發(fā)光材料 GaAs(P/)GaAs(N)與本征GaAs : Zn疊層復合，以空 間隔離溝和P-N結隔離技術形成發(fā)光矩陣芯片再 與黑瓷厚膜電路基座組成為組件，可用作貼片式信息 記錄顯示光源，用于大小型光電經(jīng)緯儀，紅外夜視等 領域。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院長春物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】130021吉林省長春市延安大路1號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】長春市 【申請人區(qū)縣】朝陽區(qū) 【申請?zhí)枴緾N90104677.9 【申請日】1990-07-15 【申請年份】1990 【公開公告號】CN1056379A 【公開公告日】1991-11-20 【公開公告年份】1991 【授權公告號】CN1032993C 【授權公告日】1996-10-09 【授權公告年份】1996.0 【IPC分類號】H01L27/15; H01L21/82; H01L21/98 【發(fā)明人】盧景貴; 張富文; 侯鳳勤; 王運復; 黃漢生; 楊玉憲 【主權項內容】1、一種發(fā)光二極管集成矩陣組件，本發(fā)明的特征是它由GaAsP/GaAs(n)與本征GaAs∶Zn疊層復合，以空間隔離溝和p-n結隔離技術形成的發(fā)光芯片與Al2O3黑瓷厚膜電路基座組成。 【當前權利人】中國科學院長春物理研究所 【當前專利權人地址】吉林省長春市延安大路1號 【被引證次數(shù)】3.0 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】1.0 【家族被引證次數(shù)】3.0
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