【摘要】本發(fā)明屬于有機物的催化氧化技術領域。敘述了從菲液相氧化成菲酰的合成方法，使用乙酰丙酮釩或乙酰丙酮鉬作催化劑，用價廉且對環(huán)境無污染的ROOH作氧化劑，克服了用GO3、K2G2O7作強氧化劑對環(huán)境的污染。本發(fā)明的合成方法在較溫和的條件下
【摘要】 本發(fā)明公開了一種自增益長波量子阱紅外探測 器，該器件由雙勢壘共振隧穿結構和10個周期的多量子阱層 構成。置于器件發(fā)射極端的雙勢壘共振隧穿結構可以有效控制 注入載流子，從而達到減小器件暗電流，降低器件噪聲，增強 器件的光電流的目的。相比傳統(tǒng)的50周期的長波量子阱紅外 探測器還大大簡化了器件系統(tǒng)結構。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學院上海技術物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610118741.5 【申請日】2006-11-24 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1960007A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN100424896C 【授權公告日】2008-10-08 【授權公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L31/111; H01L31/101 【發(fā)明人】陸衛(wèi); 熊大元; 李寧; 甄紅樓; 張波; 陳平平; 李天信; 陳效雙; 李志鋒 【主權項內容】1.一種自增益長波量子阱紅外探測器，其特征在于：在GaAs襯底層(1) 上有通過分子束外延或金屬有機化學汽相沉積依次逐層生長的： n型Si重摻雜濃度為1.0×1018cm-3的AlxGa1-xAs發(fā)射極層(2)，其中 x＝0.14-0.15； 18-22nm厚的非摻雜AlxGa1-xAs過渡層(3)，其中x＝0.14-0.15； 5-10nm厚的AlxGa1-xAs勢壘層(4)，其中x＝0.3-0.4； 5-10nm厚的非摻雜AlxGa1-xAs量子阱層(5)，其中x＝0.14-0.15； 5-10nm厚的AlxGa1-xAs勢壘層(6)，其中x＝0.3-0.4； 18-22nm厚的非摻雜AlxGa1-xAs過渡層(7)，其中x＝0.14-0.15； 交替生長10個周期的多量子阱層(8)； 55-60nm厚的AlxGa1-xAs勢壘層(9)，其中x＝0.14-0.15； n型Si重摻雜濃度為1.0×1018cm-3的AlxGa1-xAs上集電極層(10)，其中 x＝0.14-0.15； 其中勢壘層(4)、量子阱層(5)、勢壘層(6)三層構成雙勢壘的共振隧穿 結構； 所說的交替生長10個周期的多量子阱層，每個周期包括1個55-60nm厚的 AlxGa1-xAs勢壘層和1個6-7nm厚的GaAs量子阱層，其中x＝0.14-0.15。 微信公眾號馬克數(shù)據(jù)網 【當前權利人】中國科學院上海技術物理研究所 【當前專利權人地址】上海市玉田路500號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425005579K 【家族引證次數(shù)】5.0
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