【摘要】氧化法制取2-氯-8-乙基-5-氧-5，8-二氫吡啶并〔2，3-d〕嘧啶-6羧酸烷基酯工藝，本發(fā)明屬于與藥物制造有關(guān)化合物合成工藝，即：本發(fā)明系化合物(A)在水為介質(zhì)中，酸性下氧化-脫氫，直接制得化合物(C)，其中間產(chǎn)物(B)無需分
【摘要】 本發(fā)明公開了一種微臺(tái)面結(jié)構(gòu)的銦鎵砷線列探 測(cè)器，結(jié)構(gòu)為：在半絕緣InP襯底上有n型InP層，在n型InP 層上置有通過刻蝕形成的由InGaAs吸收層和P型InP層構(gòu)成 的線列微臺(tái)面，在微臺(tái)面上的p型電極引出區(qū)生長有一層p－ InGaAs電極過渡層；微臺(tái)面的所有露裸區(qū)有一層通過硫化處 理生成的 In2S3層，在該 In2S3層上有依次通過熱蒸發(fā)生成的 In2S3鈍化層和SiNx鈍化層。本發(fā) 明的優(yōu)點(diǎn)是由于硫化處理生成的 In2S3層和其表面生成的 In2S3鈍化層正好晶格匹配，可以減小接觸表面態(tài)，有效的增加 探測(cè)器的量子效率和減小暗電流， SiNx鈍化層起到鈍化加固作用， 提高器件的長時(shí)間穩(wěn)定性和可靠性。在電極引出區(qū)P型InP層 上增加一層p－InGaAs電極過渡層，使電子束蒸發(fā)生長的 Ti/Pt/Au電極在不退火的情況下實(shí)現(xiàn)歐姆接觸，小的接觸電阻 提高了探測(cè)器的性能。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200083上海市玉田路500號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610118770.1 【申請(qǐng)日】2006-11-24 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1960006A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100424895C 【授權(quán)公告日】2008-10-08 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號(hào)】H01L31/105; H01L31/18 【發(fā)明人】呂衍秋; 韓冰; 唐恒敬; 任仁; 吳小利; 喬輝; 張可鋒; 李雪; 龔海梅 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種微臺(tái)面結(jié)構(gòu)的銦鎵砷線列探測(cè)器，結(jié)構(gòu)為半絕緣InP襯底(1)， 在半絕緣InP襯底上有n型InP層(2)，在n型InP層(2)上置有通過刻蝕 形成的線列微臺(tái)面，線列微臺(tái)面由InGaAs吸收層(3)和P型InP層(4)構(gòu)成， 公共電極區(qū)在n型InP層(2)上引出；其特征在于： 在微臺(tái)面的p型InP層(4)的電極引出區(qū)生長有一層p-InGaAs電極過渡 層(5)； 在微臺(tái)面的側(cè)面和微臺(tái)面上除電極引出區(qū)外、微臺(tái)面和微臺(tái)面之間有一層 通過硫化處理生成的In2S3層，在該In2S3層上有依次通過熱蒸發(fā)生成的In2S3鈍 化層(6)和SiNx鈍化層(7)。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市玉田路500號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數(shù)】10 【被自引次數(shù)】6.0 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】5.0 【家族被引證次數(shù)】10
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.duba2008.cn/1775395497.html
喜歡就贊一下
