【摘要】本發(fā)明屬于電子儀器、儀表領(lǐng)域，為了使本體結(jié)構(gòu)簡單，且不用超高直流電壓，加些輔助設(shè)備，即能觀察樣品表面有50個原子以上的各個原子中的負電子分布狀況的投影平面像。本電子顯微鏡如說明書附圖1所示，配有大屏幕投影電視機，或者配用放大眼鏡用放
【摘要】 本發(fā)明公開了一種甚長波碲鎘汞紅外焦平面探測器的抗反膜及制備方法，所述的抗反膜是置在光敏元列陣、信號引出電極區(qū)和公共電極區(qū)上的。置于光敏元列陣上的抗反膜是0.8－1.5微米厚的ZnS材料，置在信號引出電極區(qū)和公共電極區(qū)上的抗反膜是厚度在150～200的銦膜。所述制備方法的特征在于：在抗反膜銦膜形成后再對其進行氧等離子再處理，使銦膜的表面更光滑致密，使本身灰暗的銦更為暗淡，反射系數(shù)達到此材料的低極限水平。本發(fā)明的優(yōu)點是能最大限度接收入射光的信號，提高了器件的光電效率。本發(fā)明特別適合大面積電極區(qū)的器件，如帶有井伸電極的碲鎘汞紅外光電導(dǎo)探測器。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610031016.4 【申請日】2006-09-11 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1937233A 【公開公告日】2007-03-28 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100461435C 【授權(quán)公告日】2009-02-11 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】朱龍源; 龔海梅; 李向陽; 宋潤秋; 王妮麗; 劉詩嘉; 湯英文; 姜佩璐 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種甚長波碲鎘汞紅外焦平面探測器的抗反膜，所述的甚長波碲鎘汞光 電導(dǎo)紅外焦平面探測器，包括：襯底(1)，通過環(huán)氧膠固定在襯底上的碲鎘汞 薄片(2)，通過常規(guī)的半導(dǎo)體器件集成工藝，在碲鎘汞薄片上形成的光敏元列 陣(3)及分別位于光敏元二側(cè)的信號引出電極區(qū)(4)和公共電極區(qū)(5)；所 述的抗反膜是置在光敏元列陣、信號引出電極區(qū)和公共電極區(qū)上的。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市玉田路500號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數(shù)】2 【被自引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
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