【摘要】本發(fā)明涉及一種在半導體器件的光刻過程中縮小用于形成接觸孔的光刻膠圖案的臨界尺寸,從而允許得到臨界尺寸在90nm以下的接觸孔圖案的方法。所述方法包括a)在襯底上涂覆光刻膠,形成光刻膠層;b)利用具有預定圖案的掩模對光刻膠層進行曝光;c
【摘要】 后視圖與主視圖對稱,省略后視圖。 【專利類型】外觀設計 【申請人】王立德 【申請人類型】個人 【申請人地址】200434上海市廣靈四路360弄13號604室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630032798.4 【申請日】2006-01-09 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3596082D 【公開公告日】2007-01-03 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN3596082D 【授權公告日】2007-01-03 【授權公告年份】2007.0 【發(fā)明人】王立德 【主權項內(nèi)容】無 【當前權利人】王立德 【當前專利權人地址】上海市廣靈四路360弄13號604室
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