【摘要】本發(fā)明提供了一種向智能卡中創(chuàng)建應(yīng)用的方法，所述智能卡采用容器和對(duì)象的方式存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，包括：根據(jù)指令報(bào)文數(shù)據(jù)進(jìn)行容器認(rèn)證步驟；如果認(rèn)證通過(guò)，則在容器內(nèi)創(chuàng)建應(yīng)用類(lèi)入口；從指令報(bào)文中解析出對(duì)象標(biāo)識(shí)，判斷是否與當(dāng)前應(yīng)用類(lèi)入口的應(yīng)用類(lèi)標(biāo)識(shí)相同；
【摘要】 一種廉價(jià)多晶硅薄膜太陽(yáng)電池，結(jié)構(gòu)為背電極/ 襯底/制有P－N結(jié)的多晶硅薄膜/柵狀上電極，在電池入射光表 面有氮化硅減反射膜，其特征在于：在襯底和制有P－N結(jié)的 多晶硅薄膜之間還有重?fù)絇+層 及阻擋襯底雜質(zhì)向多晶硅薄膜擴(kuò)散的 SiO2隔離層；所說(shuō)的襯底是選用 低品質(zhì)的多晶硅片，其純度＜4N。本發(fā)明的最大優(yōu)點(diǎn)是：在襯 底和制有P－N結(jié)的多晶硅薄膜之間增加了 SiO2隔離層和重?fù)?P+層，使得低品質(zhì)的多晶硅片襯 底順利用于太陽(yáng)電池，大大降低了電池的制作成本，有利于薄 膜太陽(yáng)電池的產(chǎn)業(yè)化，進(jìn)而有利于低成本光伏發(fā)電的實(shí)現(xiàn)。 【專(zhuān)利類(lèi)型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【申請(qǐng)人類(lèi)型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200083上海市玉田路500號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610117155.9 【申請(qǐng)日】2006-10-13 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN1933185A 【公開(kāi)公告日】2007-03-21 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100416863C 【授權(quán)公告日】2008-09-03 【授權(quán)公告年份】2008.0 【發(fā)明人】褚君浩; 石剛; 高文秀; 石富文 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種廉價(jià)多晶硅薄膜太陽(yáng)電池，結(jié)構(gòu)為背電極(1)/襯底(2)/制有P-N結(jié)的多晶硅薄膜/柵狀上電極(7)，在電池的入射光表面有氮化硅減反射膜(8)， 其特征在于：在襯底(2)和制有P-N結(jié)的多晶硅薄膜之間還有重?fù)絇+層(4)和 SiO2隔離層(3)；在SiO2隔離層中開(kāi)有可使背電極和上電極構(gòu)成電回路的窗口 (301)；所說(shuō)的襯底(2)是選用低品質(zhì)的多晶硅片，其純度＜4N。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【當(dāng)前專(zhuān)利權(quán)人地址】上海市玉田路500號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數(shù)】10 【被自引次數(shù)】2.0 【被他引次數(shù)】8.0 【家族被引證次數(shù)】10
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