【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】社團(tuán)法人浦東新區(qū)工程師協(xié)會; 伍珺【申請人類型】個人,機關(guān)團(tuán)體【申請人地址】201203上海市張江高科技園區(qū)郭守敬路189號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】浦東新區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630
【摘要】 本發(fā)明公開了一種可釋放熱失配應(yīng)力的硅基碲鎘汞凝視紅外焦平面器件芯片，該芯片包括Si襯底，與Si襯底牢固結(jié)合的碲鎘汞外延薄膜，通過常規(guī)的器件芯片制備工藝在碲鎘汞外延薄膜上形成的光敏元列陣，在每10－20個光敏元間的隔離區(qū)，均勻地置有通過等離子體刻蝕形成的可釋放熱失配應(yīng) 力的小孔，從而使焦平面器件芯片在室溫—低溫(80K)的溫度循環(huán)過程中，熱失配應(yīng)力在局部小區(qū)域得到釋放，使整個焦平面范圍內(nèi)的光敏元性能不因為熱失配應(yīng)力而導(dǎo)致失效，提高芯片的可靠性。 數(shù)據(jù)由馬 克 團(tuán) 隊整理 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200083上海市玉田路500號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610148070.7 【申請日】2006-12-27 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1988166A 【公開公告日】2007-06-27 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100444393C 【授權(quán)公告日】2008-12-17 【授權(quán)公告年份】2008.0 【IPC分類號】H01L27/144 【發(fā)明人】胡曉寧; 葉振華; 何力 【主權(quán)項內(nèi)容】1.一種可釋放熱失配應(yīng)力的硅基碲鎘汞凝視紅外焦平面器件芯片，該芯片包括<211>晶向的Si襯底(1)，與Si襯底牢固結(jié)合的碲鎘汞外延薄膜(2)，通過常規(guī)的器件芯片制備工藝在碲鎘汞外延薄膜上形成的光敏元列陣(3)，其特征在于： 在每10-20個光敏元間的隔離區(qū)，均勻地置有通過等離子體刻蝕形成的小孔(4)，小孔尺度小于有效光敏元面積的1％，小孔深度為碲鎘汞外延薄膜的厚度，小孔內(nèi)表面置有鈍化層。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市玉田路500號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數(shù)】7 【被自引次數(shù)】1.0 【被他引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】7
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