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【摘要】本發(fā)明涉及提高DRAM存儲(chǔ)單元電容器面積的方法，該方法包括：在硅襯底上形成DRAM的字線；在硅襯底上形成淺溝隔離；制作位線；電介質(zhì)覆蓋，并形成存儲(chǔ)電容的接觸窗；填充材料到接觸窗；交替形成兩種電介質(zhì)層；第一次刻蝕形成電容器圖案；第二次

【摘要】本發(fā)明具有過流和ESD雙重防護(hù)的表面貼裝器件及其制法，為導(dǎo)電高分子復(fù)合材料電子元器件結(jié)構(gòu)及制造方法，其中，以PTC復(fù)合芯片為基材，在PTC復(fù)合芯片上加載ESD芯材，或者在經(jīng)過層壓制成的多層PTC復(fù)合芯片上加載ESD芯材，其中，PTC

【摘要】1.除文字外，俯視圖與仰視圖對(duì)稱，省略俯視圖。 2.除文字外，右視圖與左視圖對(duì)稱，省略右視圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海家化聯(lián)合股份有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】200082上海市保定路527號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【

【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】張攸浩【申請(qǐng)人類型】個(gè)人【申請(qǐng)人地址】200082上海市保定路20弄20號(hào)1807室【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630040097.5【申請(qǐng)日】2006-08-

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【專利類型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海家化聯(lián)合股份有限公司【申請(qǐng)人類型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】200082上海市保定路527號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630044032.8【申請(qǐng)日】2006-1