【摘要】一種圖象信息縮小復(fù)制技術(shù)。用于各種黑白圖象復(fù)制及國內(nèi)外各種黑白復(fù)制感光材料，采用“均衡顯影”與反轉(zhuǎn)顯影相結(jié)合的黑白反轉(zhuǎn)顯影沖洗配方，用化學(xué)反轉(zhuǎn)省去常規(guī)的二次曝光程序，其既能反轉(zhuǎn)顯影又達(dá)到顆粒細(xì)的效果。底片通過航測縮小儀上裝配的一個專
【摘要】 本發(fā)明涉及提高DRAM存儲單元電容器面積的方法，該方法包括：在硅襯底上形成DRAM的字線；在硅襯底上形成淺溝隔離；制作位線；電介質(zhì)覆蓋，并形成存儲電容的接觸窗；填充材料到接觸窗；交替形成兩種電介質(zhì)層；第一次刻蝕形成電容器圖案；第二次刻蝕形成兩種電介質(zhì)層的不同刻蝕度；進(jìn)行電容器的制作。由于該方法采用兩種電介質(zhì)材料和兩步刻蝕方法，使兩種電介質(zhì)材料的刻蝕速率不同，因此，得到不規(guī)則的表面，由此增加其存儲單元電容的面積，從而提高存儲單元電容值。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201203上海市浦東新區(qū)張江路18號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】浦東新區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610027449.2 【申請日】2006-06-08 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101086978A 【公開公告日】2007-12-12 【公開公告年份】2007 【IPC分類號】H01L21/8242; H01L21/8222; H01L21/70 【發(fā)明人】吳金剛; 三重野文健 【主權(quán)項內(nèi)容】1.提高DRAM存儲單元電容器面積的方法，包括： 在硅襯底上形成DRAM的字線； 在硅襯底上形成淺溝隔離； 制作位線； 電介質(zhì)覆蓋，并形成存儲電容的接觸窗； 填充材料到接觸窗； 交替形成兩種電介質(zhì)層； 第一次刻蝕形成電容器圖案； 第二次刻蝕形成兩種電介質(zhì)層的不同刻蝕度； 進(jìn)行電容器的后續(xù)制程。 【當(dāng)前權(quán)利人】中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市浦東新區(qū)張江路18號 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(外國法人獨資) 【統(tǒng)一社會信用代碼】91310115710939629R 【被引證次數(shù)】2 【被自引次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】2
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