【專利類型】外觀設(shè)計【申請人】上海頂新箱包有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201500上海市金山區(qū)朱涇鎮(zhèn)亭楓公路3168號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣】金山區(qū)【申請?zhí)枴緾N200630041507.8【申請日】
【摘要】 本發(fā)明利用電磁場約束電感耦合等離子體濺射 沉積法，以Co為磁性摻雜源，以Al為施主摻雜源制備(Co， Al)共摻雜的ZnO薄膜。制備過程采用Zn1－x － yCoxAlyO(0＜x≤0.15，0＜y≤0.03)靶材，Co的 摻雜濃度可以通過調(diào)節(jié)靶材中的Co含量控制，薄膜中的載流 子濃度和氧缺陷可以通過調(diào)節(jié)靶材中的Al含量和高純 O2和Ar不同分壓比來控制。采 用ICP－PVD法可以有效的控制摻雜濃度，穩(wěn)定性好。該設(shè)備 簡單，操作方便，與普通磁控濺射設(shè)備相比引入了電磁場約束 系統(tǒng)，在濺射過程中能夠?qū)Φ入x子體中的電子和各種帶電離子 起到約束和加速作用，從而降低了薄膜的生長溫度，薄膜具有 表面平整、晶粒大小均勻，良好C軸取向的優(yōu)點，并獲得了室 溫以上的鐵磁性。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市定西路1295號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610116508.3 【申請日】2006-09-26 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1929091A 【公開公告日】2007-03-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100524623C 【授權(quán)公告日】2009-08-05 【授權(quán)公告年份】2009.0 【發(fā)明人】劉學(xué)超; 施爾畏; 陳之戰(zhàn); 張華偉; 范秋林; 宋力昕 【主權(quán)項內(nèi)容】1、利用電磁場約束電感耦合等離子體濺射沉積法制備ZnO基稀磁 半導(dǎo)體薄膜的方法，其特征是以電磁場約束電感耦合等離子體濺射沉積 法，結(jié)合Co和Al共摻雜途徑，獲得了低電阻率和高載流子(電子)濃 度的薄膜，實現(xiàn)了室溫以上的本征鐵磁性。 關(guān)注公眾號馬克數(shù)據(jù)網(wǎng) 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所; 上海硅酸鹽研究所中試基地 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市長寧區(qū)定西路1295號; 上海市嘉定區(qū)城北路215號 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數(shù)】20 【被自引次數(shù)】8.0 【被他引次數(shù)】12.0 【家族被引證次數(shù)】20
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