【摘要】本發(fā)明提供一種用于自適應(yīng)調(diào)制編碼的信噪比估算方法，將接收數(shù)據(jù)表示為含有UH的函數(shù)，其中，U為酉矩陣(見右Ⅰ式)，且UHU=UUH= ，WNm (見右Ⅱ式)，且 ；其中，wNm是FFT酉矩陣，也可以是正交Walsh－Hadamad變換
【摘要】 一種高度c軸取向的納米多孔氧化鋅薄膜及其制 備方法，屬于半導(dǎo)體光電材料、納米能源材料、催化材料領(lǐng)域。 薄膜沉積過程由若干個(gè)循環(huán)組成，每個(gè)循環(huán)包含四步：(1)前驅(qū) 體溶液吸附；(2)襯底靜置；(3)襯底超聲輻照；(4)熱水反應(yīng)及 襯底干燥。前驅(qū)體為金屬鋅與氨或其他物質(zhì)的配合物溶液，可 采用金屬鋅的無(wú)機(jī)鹽或有機(jī)醋酸鹽與氨水(或其他絡(luò)合劑)配 制；襯底為普通玻璃、石英玻璃、ITO導(dǎo)電玻璃或其他材料。 本發(fā)明特點(diǎn)是：所得ZnO膜層具有獨(dú)特的納米多孔結(jié)構(gòu)，最小 晶粒尺寸為3－10nm，因此具有比其他方法制備的ZnO膜層 大得多的比表面積；本方法成本低廉，簡(jiǎn)便易行，無(wú)須使用有 機(jī)物和高溫加熱設(shè)備，適合于規(guī)?；∧げ牧现苽?，同時(shí)在大 面積薄膜生長(zhǎng)、以及不規(guī)則襯底材料上的薄膜生長(zhǎng)方面，也具 有突出的優(yōu)勢(shì)。 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200050上海市定西路1295號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】長(zhǎng)寧區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610116509.8 【申請(qǐng)日】2006-09-26 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1923701A 【公開公告日】2007-03-07 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN100582012C 【授權(quán)公告日】2010-01-20 【授權(quán)公告年份】2010.0 【發(fā)明人】高相東; 李效民; 于偉東 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1、一種高度c軸取向的納米多孔氧化鋅薄膜，其特征在于： (1)所得的ZnO膜層不僅具有良好的結(jié)晶性，而且具有高度c軸 取向生長(zhǎng)特征； (2)所得ZnO膜層在不同的微觀尺度具有不同的結(jié)構(gòu)：在微米范 圍，由顆粒尺寸為200-400納米均勻分布的ZnO顆粒構(gòu)成；在納米尺度， 每一個(gè)ZnO顆粒又是由粒子尺寸為3-10納米的ZnO粒子構(gòu)成。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市定西路1295號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425006547H 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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