【摘要】本實用新型涉及一種軟啟動器面板電路，該軟啟動器面板電路包括：微型處理單元(MCU)、三個兩位數(shù)碼管、八個設(shè)置按鈕、IO擴展口、鎖存器、反向放大器，所述的八個設(shè)置按鈕和IO擴展口通過并行接口進行連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型解決了顯
【摘要】 本發(fā)明涉及一種具有高填充量、優(yōu)良熱電性能的堿金屬原子填充銻化鈷基方鈷礦材料及其制備方法，屬于熱電材料領(lǐng)域。本發(fā)明的材料其化學(xué)通式為AyCo4Sb12，其中0≤y≤1，A至少是Li、Na、K、Rb中的一種。制備方法是將高純度(＞99％)的金屬單質(zhì)原料按化學(xué)式Ay+y’Co4Sb12的化學(xué)計量比配料，其中0≤y’≤0.5y，0≤y≤1，混合均勻后封裝入真空或惰性氣體氣氛的涂碳層石英管中，緩慢加熱至950～1200℃，金屬原料熔融并在熔融狀態(tài)下進行充分化學(xué)反應(yīng)后在空氣或淬火液(油、水)中淬火，得到AyCo4Sb12晶棒，研磨成粉末，混合均勻后壓片，然后在惰性氣體環(huán)境中熱處理再研磨成粉末，置于石墨模具中采用放電等離子體燒結(jié)技術(shù)將其快速燒結(jié)成致密的塊體。本發(fā)明制備工藝簡單，成本低廉，產(chǎn)業(yè)化前景良好，獲得的堿金屬填充方鈷礦材料熱電性能優(yōu)良。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 【申請人類型】科研單位 【申請人地址】200050上海市定西路1295號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】長寧區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610030526.X 【申請日】2006-08-29 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1916211A 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100500900C 【授權(quán)公告日】2009-06-17 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】C22C12/00; C22C1/04; H01L35/18; H01L35/12 【發(fā)明人】陳立東; 裴艷中; 柏勝強; 趙雪盈 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種堿金屬原子填充銻化鈷基方鈷礦熱電材料，其特征在于其化 學(xué)通式為AyCo4Sb12，其中0≤y≤1，A至少是Li、Na、K、Rb中的一種。 【當(dāng)前權(quán)利人】中科西卡思(蘇州)科技發(fā)展有限公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】12100000425006547H 【引證次數(shù)】2.0 【被引證次數(shù)】10 【他引次數(shù)】2.0 【被自引次數(shù)】4.0 【被他引次數(shù)】6.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】10
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