【摘要】本發(fā)明提供一種提高III－V族應(yīng)變多量子阱發(fā) 光強(qiáng)度的方法，其特征是通過離子刻蝕方法增強(qiáng)III－V族發(fā)光 材料的發(fā)光亮度。離子刻蝕覆蓋層采用感應(yīng)耦合等離子體(ICP) 或反應(yīng)離子(RIE)等刻蝕技術(shù)。刻蝕所采用的氣體為Ar離子或 A
【摘要】 本發(fā)明公開一種三維細(xì)胞培養(yǎng)系統(tǒng)，它包括：容器，在容器內(nèi)含有細(xì)胞培養(yǎng)基及三維細(xì)胞培養(yǎng)單元，所述三維細(xì)胞培養(yǎng)單元含有可植入細(xì)胞并利于細(xì)胞黏附和長期生長、分化、成熟的空腔。所述三維空間培養(yǎng)單元是可透見的，可動(dòng)態(tài)觀察細(xì)胞的黏附、擴(kuò)伸、移行、增生、分化、成熟、衰老、死亡及發(fā)展形成組織或器官。本發(fā)明的系統(tǒng)可用于長期培養(yǎng)細(xì)胞和生產(chǎn)大量細(xì)胞作為組織工程的種子細(xì)胞，還可在短期內(nèi)形成再生組織和微器官以供移植治療。此外，本發(fā)明系統(tǒng)為腫瘤的體外研究提供了獨(dú)特的環(huán)境，可幫助腫瘤診斷，觀察腫瘤侵潤和轉(zhuǎn)移，篩選抗腫瘤藥物。亦用于離體培養(yǎng)各種細(xì)胞，以及用于研究細(xì)胞內(nèi)在的基因程序改變和細(xì)胞外環(huán)境變化對細(xì)胞的影響等。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】楊煒; 劉華 【申請人類型】個(gè)人 【申請人地址】201100上海市七莘路2885弄18號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610023537.5 【申請日】2006-01-23 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101007999A 【公開公告日】2007-08-01 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN101007999B 【授權(quán)公告日】2012-04-25 【授權(quán)公告年份】2012.0 【IPC分類號】C12M3/00; C12N5/08; C12N5/00; C12N5/071 【發(fā)明人】楊煒; 劉華 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種三維細(xì)胞培養(yǎng)裝置，其特征在于，所述系統(tǒng)包括： (a)容器，在容器內(nèi)裝有液態(tài)細(xì)胞培養(yǎng)基；以及 (b)位于所述液態(tài)細(xì)胞培養(yǎng)基中的三維細(xì)胞培養(yǎng)單元，其中所述的三維細(xì)胞 培養(yǎng)單元內(nèi)包括用于培養(yǎng)的空腔以及界定所述空腔的空腔壁，所述的空腔壁含有細(xì) 胞可黏附和生長的生物可降解的材料，并且所述的空腔壁可透過以下物質(zhì)：營養(yǎng)成 分、細(xì)胞代謝產(chǎn)物。 【當(dāng)前權(quán)利人】楊煒; 劉華 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市七莘路2885弄18號; 【被引證次數(shù)】24 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】21.0 【家族引證次數(shù)】3.0 【家族被引證次數(shù)】24
未經(jīng)允許不得轉(zhuǎn)載：http://www.duba2008.cn/1775472976.html
喜歡就贊一下
