【摘要】1.請求保護的外觀設(shè)計包含色彩。 2.平面產(chǎn)品，省略其他視圖?！緦＠愋汀客庥^設(shè)計【申請人】上海聯(lián)樂實業(yè)有限公司【申請人類型】企業(yè)【申請人地址】201112上海市閔行區(qū)聯(lián)星路281號【申請人地區(qū)】中國【申請人城市】上海市【申請人區(qū)縣
【摘要】 本發(fā)明涉及的是一種半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域的量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法。包括如下步驟：①用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強化學(xué)氣相沉積方法生長硅量子點薄膜；②利用半導(dǎo)體量子輸運方法對硅量子點共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進行模擬，進一步調(diào)節(jié)該二極管的隧穿電流折疊特性；③用氣相外延裝置先在重?fù)诫sp型單晶硅襯底上生長p型單型硅薄膜，接著在其上生長n型硅量子點薄膜，得到硅量子點共振隧穿二極管器件。本發(fā)明可實現(xiàn)從單穩(wěn)態(tài)到雙穩(wěn)態(tài)的轉(zhuǎn)變，并提高雙穩(wěn)態(tài)雙峰間距，降低閾值電壓，提高了邏輯器件的噪聲容限，能夠提高電路的穩(wěn)定工作能力。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學(xué) 【申請人類型】學(xué)校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610147220.2 【申請日】2006-12-14 【申請年份】2006 【公開公告號】CN101000874A 【公開公告日】2007-07-18 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN100449713C 【授權(quán)公告日】2009-01-07 【授權(quán)公告年份】2009.0 【IPC分類號】H01L21/329; H01L21/02 【發(fā)明人】沈文忠; 潘葳 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法，其特征在于，包括如下步驟： ①確定硅量子點共振隧穿二極管為單晶硅/硅量子點pn型的反型異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)， 用氣相外延方法生長單晶硅薄膜和用等離子增強化學(xué)氣相沉積方法生長硅量子點薄 膜； ②利用半導(dǎo)體量子輸運方法對硅量子點共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進 行模擬，在氣相外延和等離子增強化學(xué)氣相沉積生長過程中分別摻入乙硼和磷烷， 通過改變乙硼和磷烷摻雜比例來控制硅量子點共振隧穿二極管兩側(cè)摻雜濃度，通過 控制摻雜濃度下的共振隧穿電流特性，進一步調(diào)節(jié)該二極管的隧穿電流折疊特性； ③用氣相外延裝置先在重?fù)诫sp型單晶硅襯底上生長p型單型硅薄膜，接著在 其上生長n型硅量子點薄膜，得到硅量子點共振隧穿二極管器件。 【當(dāng)前權(quán)利人】上海交通大學(xué) 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】4 【被他引次數(shù)】4.0 【家族引證次數(shù)】2.0 【家族被引證次數(shù)】4
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