【摘要】一種半導體光電探測技術領域的半導體無像元 遠紅外上轉換成像裝置制造方法。步驟如下:(1)確定探測器類 型為探測中心波長在60微米的同質結內光發(fā)射遠紅外探測器, 發(fā)光二極管類型為發(fā)射光波長在硅電荷耦合器件響應波長范 圍內的近紅外發(fā)光二
【摘要】 1.本外觀設計是紡織物,省略后視圖。 2.單元圖案四方連續(xù),無限定邊界。 3.請求保護的外觀設計包含色彩。 【專利類型】外觀設計 【申請人】上海題橋紡織染紗有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201114上海市閔行區(qū)浦江鎮(zhèn)立躍路519號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630045396.8 【申請日】2006-11-20 【申請年份】2006 【公開公告號】CN300699930D 【公開公告日】2007-10-17 【公開公告年份】2007 【授權公告號】CN300699930D 【授權公告日】2007-10-17 【授權公告年份】2007.0 【發(fā)明人】董勤霞; 潘玉明; 彭繼芝 【主權項內容】無 【當前權利人】上海題橋紡織染紗有限公司 【當前專利權人地址】上海市閔行區(qū)浦江鎮(zhèn)立躍路519號 【專利權人類型】有限責任公司(自然人投資或控股) 【統(tǒng)一社會信用代碼】913101126320066543
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