【摘要】一種圖像處理技術(shù)領(lǐng)域的基于受力分析和形變的計算機切割與縫合模擬方法，本發(fā)明首先通過基于質(zhì)點彈簧與中心線描繪法方法對軟組織進行建模，重建對象的表面，并在對象中心抽象出一條中心線。中心線向表面射出幅軸并與表面連接，通過中心線帶動表面產(chǎn)生
【摘要】 本發(fā)明涉及一種a軸取向的釔鋇銅氧YBCO超導 厚膜的氧氣氛控制制備方法，利用液相外延生長裝置，在純氧 氣氛中得到高結(jié)晶品質(zhì)的a軸取向的YBCO厚膜。按照3∶5 的鋇銅原子比例配置Ba－Cu－O粉末，經(jīng)研磨煅燒后，放在 Y2O3坩堝內(nèi)加熱熔化，得到Y(jié)－Ba－Cu－O熔體。將密閉熔爐 里的氣氛環(huán)境改變?yōu)?00％的純氧氣氛，并且把坩堝內(nèi)熔體溫 度調(diào)整到低于YBCO包晶熔化溫度5－20K，在取向為(110)的 單晶鎵酸釹基片上液相外延得到高質(zhì)量的a軸YBCO厚膜。本 發(fā)明僅僅通過氣氛環(huán)境中氧含量的改變，使得在原本處于大氣 環(huán)境下不適合a軸取向厚膜生長的3∶5熔體環(huán)境中能在一個 較寬的溫度范圍內(nèi)得到a軸YBCO厚膜。 【專利類型】發(fā)明申請 【申請人】上海交通大學 【申請人類型】學校 【申請人地址】200240上海市閔行區(qū)東川路800號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200610117890.X 【申請日】2006-11-02 【申請年份】2006 【公開公告號】CN1970849A 【公開公告日】2007-05-30 【公開公告年份】2007 【發(fā)明人】姚忻; 蔡衍卿 【主權(quán)項內(nèi)容】1、一種a軸取向的釔鋇銅氧YBCO超導厚膜的氧氣氛控制制備方法，其特 征在于包括如下步驟： 1)用BaCO3+CuO的粉末進行配料，控制Ba/Cu原子比為0.6； 2)對BaCO3+CuO粉末進行研磨，然后在850-950℃保溫45-50小時進行煅 燒，燒結(jié)成均勻的Ba-Cu-O粉末； 3)將Ba-Cu-O粉末加到放置在熔爐中的Y2O3坩堝內(nèi)，將熔爐加熱至YBCO 的包晶熔化溫度以上40-50K，并保溫20-30小時使Ba-Cu-O粉末均勻熔化，得 到Y(jié)-Ba-Cu-O熔體； 4)將熔爐里的氣氛環(huán)境改變?yōu)?00％的純氧氣氛，并且保持熔爐的密閉以及氣 流的穩(wěn)定性； 5)將Y-Ba-Cu-O熔體冷卻至YBCO的包晶熔化溫度以下5-20K，作為外延生 長溫度； 6)用單面拋光的(110)取向的鎵酸釹單晶基片作為生長襯底，采取液相外延 法生長YBCO厚膜，生長時間3-5分鐘，得到厚度為10-20微米a軸取向的 釔鋇銅氧YBCO超導厚膜。 【當前權(quán)利人】上海交通大學 【當前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)東川路800號 【統(tǒng)一社會信用代碼】1210000042500615X0 【被引證次數(shù)】TRUE 【家族被引證次數(shù)】TRUE
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