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【摘要】本發(fā)明涉及的是一種半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域的量子邏輯器件的隧穿二極管制備方法。包括如下步驟：①用氣相外延方法生長(zhǎng)單晶硅薄膜和用等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法生長(zhǎng)硅量子點(diǎn)薄膜；②利用半導(dǎo)體量子輸運(yùn)方法對(duì)硅量子點(diǎn)共振隧穿二極管器件的隧穿電流特性進(jìn)

【摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種抗蔓枯病西瓜品種的選育方 法，本發(fā)明采用室內(nèi)苗期人工接種與大田成株期人工接種技 術(shù)，對(duì)西瓜品種資源進(jìn)行抗蔓枯病性的連續(xù)定向雙重接種鑒定 和人工轉(zhuǎn)育，并育成抗西瓜蔓枯病的親本自交系W7、V13， 以W7為母本，V13為

【摘要】本外觀設(shè)計(jì)產(chǎn)品是紡織物，省略后視圖； 單元圖案四方連續(xù)，無(wú)限定邊界； 請(qǐng)求保護(hù)的外觀設(shè)計(jì)包含色彩。。（macrodatas.cn） （來(lái) 自 馬 克 數(shù) 據(jù) 網(wǎng)）【專(zhuān)利類(lèi)型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海題橋紡織染紗有限公司【申請(qǐng)人類(lèi)型】企

【摘要】一種無(wú)框窗的型材，包括雙U字形槽，其特征在 于：所述的各U字形槽的底部設(shè)有的滑槽呈半圓狀，且在該半 圓形滑槽的底端設(shè)有一根支柱。其中：U字形槽的深度在28 毫米～40毫米范圍之內(nèi)；半圓狀滑槽的大小與型材端面的用于 運(yùn)輸固定的半圓槽相

【專(zhuān)利類(lèi)型】外觀設(shè)計(jì)【申請(qǐng)人】上海旅友箱包有限公司【申請(qǐng)人類(lèi)型】企業(yè)【申請(qǐng)人地址】201108上海市閔行區(qū)聯(lián)曹路558號(hào)【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó)【申請(qǐng)人城市】上海市【申請(qǐng)人區(qū)縣】閔行區(qū)【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630040757.X【申請(qǐng)日】2006-

【摘要】本發(fā)明涉及的是一種基因工程技術(shù)領(lǐng)域的等溫 單向生長(zhǎng)的基因合成方法。具體包括以下步驟：(1)根據(jù)目標(biāo) DNA序列設(shè)計(jì)并合成用于延伸的寡核苷酸鏈，或者純化合成 的寡核苷酸鏈；(2)在多種酶的協(xié)同作用下進(jìn)行等溫生長(zhǎng)，合成 目標(biāo)DNA長(zhǎng)鏈；