【摘要】本發(fā)明涉及太陽電池,為解決晶體硅太陽電池的結(jié)構(gòu)問題,本發(fā)明公開了多孔硅層結(jié)構(gòu)的晶體硅太陽電池,其結(jié)構(gòu)順序包括N型硅層、P型硅層、背面電極、在N型硅層和P型硅層交界處形成具有光伏效應(yīng)的PN結(jié),其特點(diǎn)是在靠近受光面一側(cè)的硅材料表面上設(shè)有
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請人】上海威士迪電子技術(shù)有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】210011上海市閔行區(qū)富都路55弄2號401室 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】閔行區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630041426.8 【申請日】2006-10-12 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3667592D 【公開公告日】2007-07-11 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN3667592D 【授權(quán)公告日】2007-07-11 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】廖云彪 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】上海威士迪電子技術(shù)有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市閔行區(qū)富都路55弄2號401室 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司 【統(tǒng)一社會信用代碼】913101127737456293
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