【摘要】本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體器件的光刻過程中縮小用于形成接觸孔的光刻膠圖案的臨界尺寸，從而允許得到臨界尺寸在90nm以下的接觸孔圖案的方法。所述方法包括a)在襯底上涂覆光刻膠，形成光刻膠層；b)利用具有預(yù)定圖案的掩模對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光；c
【摘要】 本發(fā)明公開了一種45°入射寬光譜消偏振濾光 片的構(gòu)建方法，包括：采用兩個(gè)中心波長不同的雙反射膜堆加 三匹配層的構(gòu)思建立基本膜系，然后對(duì)基本膜系膜層厚度運(yùn)用 膜系設(shè)計(jì)與分析軟件Tfcalc3.5中的變尺度優(yōu)化方法進(jìn)行優(yōu)化， 即得最終鍍膜膜系的膜層厚度。本發(fā)明的濾光片構(gòu)建方法具有 的優(yōu)點(diǎn)是只需高低折射率兩種膜料；僅對(duì)部分膜層厚度進(jìn)行優(yōu) 化，且膜層層數(shù)較少，易于鍍制；入射角度對(duì)偏振變化不敏感； 該濾光片具有寬光譜、低偏振度及高消光比的特點(diǎn)；濾光片的 基底選材和膜料選材范圍寬。。詳見官網(wǎng)：www.macrodatas.cn 【專利類型】發(fā)明申請(qǐng) 【申請(qǐng)人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【申請(qǐng)人類型】科研單位 【申請(qǐng)人地址】200083上海市玉田路500號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200610118740.0 【申請(qǐng)日】2006-11-24 【申請(qǐng)年份】2006 【公開公告號(hào)】CN1959447A 【公開公告日】2007-05-09 【公開公告年份】2007 【IPC分類號(hào)】G02B5/20; G02B27/00 【發(fā)明人】馬小鳳; 劉定權(quán); 陳剛; 李大琪; 朱圳; 張鳳山; 嚴(yán)義勛 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】1.一種45°入射寬光譜消偏振濾光片的構(gòu)建方法，其特征在于包括如下步 驟： §A.建立基本膜系： 基底正面膜系為 基底/(g1Hg2Lg1H)2(HL)8(g1Hg2Lg1H)2(H’L’)11(g1Hg2Lg1H)2/空氣； 基底背面膜系為： ？？？？？？？？？？？？？基底/0.8H0.6L1.3H2L/空氣； 其中：入射介質(zhì)為空氣，基底為熔凝石英或者BK7玻璃； g1，g2是膜層厚度系數(shù)，其取值范圍均在0.5～2.5之間，視參考波長而定； (HL)8和(H’L’)11為兩個(gè)中心波長不同的雙反射膜堆，(HL)8中心波長為λ1， (H’L’)11中心波長為λ2； 兩個(gè)(g1Hg2Lg1H)2為匹配層，兩個(gè)反射膜堆之間的(g1Hg2Lg1H)2為平滑層； H、L分別代表光學(xué)厚度為λ1/4高、低折射率膜層，H’、L’分別代表光學(xué) 厚度為λ2/4高、低折射率膜層。 §B.對(duì)上述的正面基本膜系膜層厚度進(jìn)行優(yōu)化： 運(yùn)用膜系設(shè)計(jì)與分析軟件Tfcalc3.5中的變尺度優(yōu)化方法，將濾光片截止 帶的反射率R＝100％及其透射帶的透射率T＝100％作為優(yōu)化目標(biāo)函數(shù)，對(duì)上述正面 膜系中各匹配層的膜層厚度以及反射膜堆中的低折射率膜層厚度進(jìn)行變尺度優(yōu) 化，即得最終鍍膜膜系的膜層厚度。 【當(dāng)前權(quán)利人】中國科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市玉田路500號(hào) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】12100000425005579K 【被引證次數(shù)】12 【被自引次數(shù)】3.0 【被他引次數(shù)】9.0 【家族被引證次數(shù)】12
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