【摘要】本發(fā)明涉及一種在半導(dǎo)體器件的光刻過程中縮小用于形成接觸孔的光刻膠圖案的臨界尺寸,從而允許得到臨界尺寸在90nm以下的接觸孔圖案的方法。所述方法包括a)在襯底上涂覆光刻膠,形成光刻膠層;b)利用具有預(yù)定圖案的掩模對光刻膠層進(jìn)行曝光;c
【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】上海家化聯(lián)合股份有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】200082上海市保定路527號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630035258.1 【申請日】2006-04-07 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3612550D 【公開公告日】2007-02-21 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN3612550D 【授權(quán)公告日】2007-02-21 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】馬振超 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】上海家化聯(lián)合股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市保定路527號 【專利權(quán)人類型】其他股份有限公司(上市) 【統(tǒng)一社會信用代碼】913100006073349399
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