【摘要】本發(fā)明公開了一種甚長波碲鎘汞紅外焦平面探測器的抗反膜及制備方法,所述的抗反膜是置在光敏元列陣、信號引出電極區(qū)和公共電極區(qū)上的。置于光敏元列陣上的抗反膜是0.8-1.5微米厚的ZnS材料,置在信號引出電極區(qū)和公共電極區(qū)上的抗反膜是厚度
【專利類型】外觀設(shè)計 【申請人】上海頂新箱包有限公司 【申請人類型】企業(yè) 【申請人地址】201500上海市金山區(qū)朱涇鎮(zhèn)亭楓公路3168號 【申請人地區(qū)】中國 【申請人城市】上海市 【申請人區(qū)縣】金山區(qū) 【申請?zhí)枴緾N200630035464.2 【申請日】2006-04-18 【申請年份】2006 【公開公告號】CN3619700D 【公開公告日】2007-03-14 【公開公告年份】2007 【授權(quán)公告號】CN3619700D 【授權(quán)公告日】2007-03-14 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】王向軍 【主權(quán)項內(nèi)容】無 【當(dāng)前權(quán)利人】上海頂新箱包有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市金山區(qū)亭楓公路3168號 【專利權(quán)人類型】有限責(zé)任公司(臺港澳與境內(nèi)合資) 【統(tǒng)一社會信用代碼】913100006073695416
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