【摘要】本發(fā)明涉及提高DRAM存儲(chǔ)單元電容器面積的方法,該方法包括:在硅襯底上形成DRAM的字線;在硅襯底上形成淺溝隔離;制作位線;電介質(zhì)覆蓋,并形成存儲(chǔ)電容的接觸窗;填充材料到接觸窗;交替形成兩種電介質(zhì)層;第一次刻蝕形成電容器圖案;第二次
【專利類型】外觀設(shè)計(jì) 【申請(qǐng)人】上海家化聯(lián)合股份有限公司 【申請(qǐng)人類型】企業(yè) 【申請(qǐng)人地址】200082上海市保定路527號(hào) 【申請(qǐng)人地區(qū)】中國(guó) 【申請(qǐng)人城市】上海市 【申請(qǐng)人區(qū)縣】虹口區(qū) 【申請(qǐng)?zhí)枴緾N200630036514.9 【申請(qǐng)日】2006-05-19 【申請(qǐng)年份】2006 【公開(kāi)公告號(hào)】CN3639527D 【公開(kāi)公告日】2007-05-02 【公開(kāi)公告年份】2007 【授權(quán)公告號(hào)】CN3639527D 【授權(quán)公告日】2007-05-02 【授權(quán)公告年份】2007.0 【發(fā)明人】曹軍 【主權(quán)項(xiàng)內(nèi)容】無(wú) 【當(dāng)前權(quán)利人】上海家化聯(lián)合股份有限公司 【當(dāng)前專利權(quán)人地址】上海市保定路527號(hào) 【專利權(quán)人類型】其他股份有限公司(上市) 【統(tǒng)一社會(huì)信用代碼】913100006073349399
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